检索结果-南通市图书馆

高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT

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物理学报 2022年第13期71卷 404-411页

作者：荆斌徐萌彭聪陈龙龙张建华李喜峰上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072

采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide,HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched,BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)像素阵列.利用N_(2)O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N_(2)O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm^(2)·V^(–1)·s^(–1).特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N_(2)O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.

关键词：溶液法 TFT像素阵列 N_(2)O等离子处理光照负偏压稳定性

不同功率O2或N2等离子处理TiNx阳极表面对硅基OLED发光性能的影响

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发光学报 2022年第6期43卷 934-943页

作者：李祥刘海魏斌张建华上海大学材料科学与工程学院上海200444 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072

硅基有机发光二极管是微显示领域的一个重要研究方向。本文以硅基微显示器件中阳极与有机层关键界面材料氮化钛为研究对象,通过研究不同条件的等离子处理引起的表面微结构形貌、功函数、载流子浓度、载流子迁移率、反射率以及X射线光电... 详细信息

硅基有机发光二极管是微显示领域的一个重要研究方向。本文以硅基微显示器件中阳极与有机层关键界面材料氮化钛为研究对象,通过研究不同条件的等离子处理引起的表面微结构形貌、功函数、载流子浓度、载流子迁移率、反射率以及X射线光电子能谱变化,探究有机发光性能的表面处理方法。结果显示,合适功率的等离子处理(O_(2):60 W或N_(2):80 W)能够显著提升硅基显示器件的发光亮度(O_(2):70%,N_(2):128%);同时,电流效率和功率效率分别提高了35%和58%。通过比较各个参数,等离子处理改变的Ti和N元素的价态被认为可提高界面载流子浓度和迁移率从而优化发光性能。该研究细化了一种新颖的硅基显示器件性能提升方法,为相关研究提供了方向。

关键词：等离子处理硅基OLED 氮化钛载流子浓度及迁移率

基于显著性信息和视点合成预测的3D-HEVC编码方法

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上海大学学报（自然科学版） 2019年第5期25卷 679-691页

作者：余芳安平严徐乐上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室

传统的视频编码标准大多着重从减少信息冗余来提高率失真性能,而忽视了人类视觉系统(human visual system,HVS)多样性对视频编码的影响.针对目前先进的3D高效率视频编码(high efficiency video coding,HEVC)技术,提出了一种融合人眼视... 详细信息

传统的视频编码标准大多着重从减少信息冗余来提高率失真性能,而忽视了人类视觉系统(human visual system,HVS)多样性对视频编码的影响.针对目前先进的3D高效率视频编码(high efficiency video coding,HEVC)技术,提出了一种融合人眼视觉特性的编码方法.首先建立3D显著性模型,根据显著性信息进行分区域编码;然后对原有的视点合成预测算法进行改进,避免深度块的边界效应;最后绘制生成新视点的视频.实验结果证明,该方法在保证主观质量基本不变的情况下,BD-rate可下降10%左右,绘制生成的新视点峰值信噪比(peaksignal to noise ratio,PSNR)可提高0.1dB左右,能有效提高编码效率.

关键词： 3D-HEVC 显著性信息视点合成预测绘制

基于In_(1−x)Ga_(x)P梯度合金核无镉量子点的制备及LED应用

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上海大学学报（自然科学版） 2021年第5期27卷 846-855页

作者：叶海桥曹璠窦永江杨绪勇上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200444

低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot,InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料,已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力.然而,合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PL QY)的InP... 详细信息

低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot,InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料,已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力.然而,合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PL QY)的InP QD仍然具有挑战性.因此,提出了以乙酰丙酮镓作为镓源,在高温下通过乙酰丙酮基对表面配体的活化作用,生成具有梯度合金核的In_(1−x)Ga_(x)P/ZnSe/ZnS量子点,有效解决了原有的InP与ZnSe之间晶格失配的问题;同时减少核壳界面缺陷,使量子点的荧光量子产率高达82%,所制备量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode,QLED)的外量子效率(external quantum efficiency,EQE)达到3.1%.相比传统的InP/ZnSe/ZnS结构量子点,In_(1−x)Ga_(x)P/ZnSe/ZnS量子点荧光量子产率提高了25%,器件的外量子效率提高了近一倍.该方案为解决InP量子点荧光量子产率低、发光器件性能差等问题提供了新的思路.

关键词：磷化铟量子点梯度合金核配体活化量子点发光二极管

低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性

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物理学报 2013年第10期62卷 440-444页

作者：李喜峰信恩龙石继锋陈龙龙李春亚张建华上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072

采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(<200℃)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10cm-2·V-1·s-1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4V/dec,阈值电压为3.6V.栅电压正向和负向扫描未发现电... 详细信息

采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(显示器件.研究了器件的光照稳定性,光照10000s后器件阈值电压负向偏移约0.8V,这种漂移是由于界面电荷束缚所致.

关键词：非晶铟镓锌氧化合物薄膜晶体管光照稳定性电滞现象

环境湿度对有机电致发光二极管功能材料的影响

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功能材料 2017年第1期48卷 1109-1114页

作者：林洋司长峰彭翠云潘赛虎陈果魏斌上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072

随着有机电致发光二极管(OLED)市场化进程加快,有机光电功能材料的应用日趋广泛,但环境湿度对OLED功能材料影响的研究鲜有报道。以典型的空穴传输材料N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)为例,将... 详细信息

随着有机电致发光二极管(OLED)市场化进程加快,有机光电功能材料的应用日趋广泛,但环境湿度对OLED功能材料影响的研究鲜有报道。以典型的空穴传输材料N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)为例,将其分别置于环境湿度为5%,20%,35%和50%,环境温度均为25℃的条件下24h,以其为空穴传输层构建绿色荧光OLED器件;系统调查了NPB材料不同存储环境湿度对OLED器件性能的影响。结果表明,随着NPB存储环境湿度不断增加(5%~50%),器件性能逐渐降低,其中最大电流效率由3.96cd/A降低到3.31cd/A。进一步地,单载流子器件的电流-电压特性表明,随着环境湿度的增加,NPB空穴传输性能逐渐增强,这加剧了OLED器件中空穴和电子传输性能的不平衡,导致器件效率较低。此外,分析了NPB薄膜光致发光(PL)光谱随着材料存储湿度的增加逐渐红移的现象,这可能是由于水分子的侵入,使得NPB分子的局域激发态转换为具有强烈电荷转移特征的激发态的结果。

关键词：有机光电功能材料 NPB 空穴传输材料环境湿度有机电致发光二极管

溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管

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物理学报 2014年第11期63卷 380-385页

作者：高娅娜李喜峰张建华上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室上海200072

本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄... 详细信息

本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.

关键词：薄膜晶体管锆铝氧化物迁移率

热处理气氛对溶胶-凝胶法制备a-InGaZnO TFT器件的影响

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功能材料 2013年第3期44卷 442-445,450页

作者：李倩李喜峰张建华上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072

采用溶胶-凝胶法制备了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,通过热重-差热示差技术分析了a-IGZO形成机理,并研究了热处理对a-IGZO薄膜的结构和光电性能影响。并用于薄膜晶体管(TFT)的有源层,制备的a-IGZO TFT,其具有明显的转移特性,其关态电... 详细信息

采用溶胶-凝胶法制备了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,通过热重-差热示差技术分析了a-IGZO形成机理,并研究了热处理对a-IGZO薄膜的结构和光电性能影响。并用于薄膜晶体管(TFT)的有源层,制备的a-IGZO TFT,其具有明显的转移特性,其关态电流为10-11 A,退火能够改善a-IGZO TFT器件性能,器件的开关比提高了两个数量级。

关键词：溶胶-凝胶法 a-IGZO薄膜薄膜晶体管

溶液法制备的金属掺杂氧化镍空穴注入层在钙钛矿发光二极管上的应用

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物理学报 2020年第1期69卷 326-333页

作者：吴家龙窦永江张建凤王浩然杨绪勇上海大学微电子研究与开发中心上海201900 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200040

甲脒基钙钛矿(FAPbX3)纳米晶(NCs)具有成本低、色纯度高、吸收范围广、带隙可调等特点,在照明显示与光伏领域中表现出良好的应用前景.然而传统钙钛矿发光二极管(LEDs)的空穴注入层材料--PEDOT:PSS,由于其固有的吸湿性和酸性,严重影响着... 详细信息

甲脒基钙钛矿(FAPbX3)纳米晶(NCs)具有成本低、色纯度高、吸收范围广、带隙可调等特点,在照明显示与光伏领域中表现出良好的应用前景.然而传统钙钛矿发光二极管(LEDs)的空穴注入层材料--PEDOT:PSS,由于其固有的吸湿性和酸性,严重影响着器件的稳定性,而器件的稳定性始终是阻碍钙钛矿发光器件成为实际应用的关键因素之一.本文首次使用溶液法制备的氧化镍(NiO)薄膜作为溴基甲脒钙钛矿(FAPbBr3)NCs LEDs的空穴注入层,降低空穴注人层对钙钛矿发光层的影响,获得了高效且稳定的钙钛矿发光器件,器件寿命是基于PEDOT:PSS的器件的2.3倍.通过适当浓度的金属掺杂(Cs:NiO/Li:NiO),可以有效改善器件的电荷平衡,从而进一步提高FAPbBr3 NCs LEDs的性能.基于掺杂2 mol%Cs的NiO的器件表现出最优异的光电性质,其最大亮度,最大电流效率,峰值EQE分别为2970 cd·m-2,43.0 cd·A-1和11.0%;相比于传统的PEDOT:PSS基的器件,效率提高了近2倍.

关键词：溴基甲脒钙钛矿纳米晶氧化镍金属掺杂发光二极管