钝化层对背沟道刻蚀型IGZO薄膜晶体管的影响

作     者：王琛 温盼 彭聪 徐萌 陈龙龙 李喜峰 张建华 Wang Chen;Wen Pan;Peng Cong;Xu Meng;Chen Long-Long;Li Xi-Feng;Zhang Jian-Hua

作者机构：上海大学材料科学与工程学院上海200444 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2023年第72卷第8期

页      面：296-302页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:62174105,61674101) 上海市教育发展基金会和上海市教委(批准号:18SG38)资助的课题 

主　　题：非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 钝化层 

摘      要：本文制备了氧化硅、聚酰亚胺以及氧化硅-聚酰亚胺堆叠结构钝化层的非晶铟镓锌氧背沟道刻蚀型薄膜晶体管.与传统氧化硅钝化层薄膜晶体管相比,聚酰亚胺钝化层薄膜晶体管的电学特性大幅提高,场效应迁移率从4.7提升至22.4 cm^(2)/(V·s),亚阈值摆幅从1.6降低至0.28 V/decade,电流开关比从1.1×10^(7)提升至1.5×10^(10),负偏压光照稳定性下的阈值电压偏移从–4.8 V下降至–0.7 V.电学特性的改善可能是由于氢向聚酰亚胺钝化层扩散减少了背沟道的浅能级缺陷.