低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性
Stability of low temperature and transparent amorphous InGaZnO thin film transistor under illumination作者机构：上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2013年第62卷第10期
页 面：440-444页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:61006005) 上海科学技术委员会重大攻关项目(批准号:10dz1100102)资助的课题~~
主 题：非晶铟镓锌氧化合物 薄膜晶体管 光照稳定性 电滞现象
摘 要：采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(200℃)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10cm-2·V-1·s-1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4V/dec,阈值电压为3.6V.栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象.白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响,表明制备的器件可用于透明显示器件.研究了器件的光照稳定性,光照10000s后器件阈值电压负向偏移约0.8V,这种漂移是由于界面电荷束缚所致.
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