高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT

作     者：荆斌 徐萌 彭聪 陈龙龙 张建华 李喜峰 Jing Bin;Xu Meng;Peng Cong;Chen Long-Long;Zhang Jian-Hua;Li Xi-Feng

作者机构：上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2022年第71卷第13期

页      面：404-411页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:62174105,61674101) 上海市学术/技术研究负责人计划(批准号:18XD1424400) 上海市教育发展基金会和上海市教育委员会(批准号:18SG38)资助的课题。 

主　　题：溶液法 TFT像素阵列 N_(2)O等离子处理 光照负偏压稳定性 

摘      要：采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide,HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched,BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)像素阵列.利用N_(2)O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N_(2)O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm^(2)·V^(–1)·s^(–1).特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N_(2)O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.