溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管
Solution-processed high performance HIZO thin film transistor with AZO gate dielectric作者机构：上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室上海200072
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2014年第63卷第11期
页 面：380-385页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:61006005) 上海科学技术委员会项目(批准号:13520500200)资助的课题~~
摘 要：本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.
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