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mevva源离子注入金属表面优化应用

原子核物理评论 1997年第3期14卷 170-172页

作者：丁晓纪林文廉张荟星张孝吉周凤生李强桑吉梅徐骏袁晓珉北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心北京有色金属研究总院

针对几种钢部件的磨损、耗能问题，本课题组应用ＭＥＶＶＡ源离子注入技术，对Ｈ１３、Ｔ１０Ａ、ＨＳＳ、Ｃｒ１７等钢材料进行了离子注入表面改性研究，得出了提高钢耐磨性和改善其固体自润滑的一套有用的离子注入工艺．

关键词： mevva源离子注入钢材料表面改性

mevva源金属离子注入和金属等离子体浸没注入

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中国表面工程 2000年第3期13卷 8-12页

作者：张涛侯君达北京师范大学低能核物理所

mevva源金属离子注入技术和金属等离子体浸没注入技术MePIII的共同特性是强流金属离子注入。它们各具长处，相互补充，共同发展。前者因无鞘层重叠问题和其方向强的特点，特别适用于小件、简单件的大批量金属离子注入处理，能保证处理... 详细信息

mevva源金属离子注入技术和金属等离子体浸没注入技术MePIII的共同特性是强流金属离子注入。它们各具长处，相互补充，共同发展。前者因无鞘层重叠问题和其方向强的特点，特别适用于小件、简单件的大批量金属离子注入处理，能保证处理的均匀性和高效率。后者因无视线加工限制并克服了保持剂量问题，特别适用于处理体积较大、形状复杂的工件，能保证工件所有暴露表面的加工均匀性，调整工作参数，还能进行金属膜沉积和各种沉积/注入比例的动态增强沉积金属、合金及化合物膜制备。综述上述二者的开发、工作原理、材料表面改性研究和工业应用新进展。

关键词：金属离子注入 mevva源 PIll技术

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采用磁过滤mevva源制备DLC膜的研究

北京师范大学学报（自然科学版） 2002年第4期38卷 478-481页

作者：张旭张通和易仲珍张荟星王广甫北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室低能核物理研究所北京市辐射中心北京师范大学分析测试中心

采用磁过滤mevva沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面 (单晶硅、不锈钢和工具钢等 )上制备高质量类金刚石 (DLC)薄膜。实验结果表明 ,沉积能量对薄膜的sp3键含量的影响为先随能量的增加而增加 ,达到最大值后 ,再增加沉积能量含量反而下... 详细信息

采用磁过滤mevva沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面 (单晶硅、不锈钢和工具钢等 )上制备高质量类金刚石 (DLC)薄膜。实验结果表明 ,沉积能量对薄膜的sp3键含量的影响为先随能量的增加而增加 ,达到最大值后 ,再增加沉积能量含量反而下降。硬度测试结果表明 ,非晶金刚石薄膜具有极高的硬度 ,为 70～ 78GPa ,远远高于衬底材料的硬度值 .对非晶金刚石薄膜的摩擦性能试验结果表明 ,非晶金刚石薄膜的摩擦因数为 0 .16～ 0 .2 ,大大低于衬底材料 .

关键词：磁过滤 mevva源制备 DLC膜类金刚石膜金属蒸汽真空弧沉积非晶金刚石薄膜耐磨损性能

金属蒸汽真空弧(mevva)源产生的金属镍(Ni)等离子体的发射光谱诊断

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北京师范大学学报（自然科学版） 2011年第6期47卷 589-593页

作者：邓春凤廖斌陈一鸣肖云剑吴先映射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院北京市辐射中心北京100875

利用英国avantes公司生产的AvaSpec-2048FT-8-RM型光栅光谱仪对金属蒸汽真空弧(mevva)源产生的金属镍等离子体的发射光谱进行采集,并用"Plasus Specline"软件对采集到的数据进行分析,得到各条谱线所对应的元素及元素电荷态、跃迁能级及... 详细信息

利用英国avantes公司生产的AvaSpec-2048FT-8-RM型光栅光谱仪对金属蒸汽真空弧(mevva)源产生的金属镍等离子体的发射光谱进行采集,并用"Plasus Specline"软件对采集到的数据进行分析,得到各条谱线所对应的元素及元素电荷态、跃迁能级及其能量等信息.同时采用多谱线斜率法对镍等离子的电子温度进行计算,并利用电子温度对等离子体的电子密度进行计算,从而实现mevva源产生的金属镍等离子体的发射光谱诊断.

关键词： mevva源等离子体发射光谱诊断电子温度电子密度

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50型mevva源离子注入机

北京师范大学学报：自然科学版 2002年第4期38卷 496-499页

作者：吴先映李强张胜基张孝吉张荟星北京师范大学低能核物理研究所射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京100875

详细介绍了 5 0型强束流、大束斑mevva源注入机的结构和各项性能 .5 0型mevva源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的“八六三”计划项目“先进离子束注入技术的工业应用”所取得的成果。

关键词： mevva源离子注入机材料表面改性真空靶室电源低能核物理控制测量系统

mevva离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题

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真空 2006年第3期43卷 21-24页

作者：胡冰李晓娜王秀敏董闯大连理工大学三束国家重点实验室辽宁大连116024 大连理工大学材料工程系辽宁大连116024

研究了M EVVA离子注入机在F e/S i系薄膜制备过程中产生的颗粒污染问题以及颗粒污染对薄膜质量带来的影响。选取不同制备条件下的F e/S i薄膜,采用电子探针、透射电镜等分析手段对颗粒污染给F e/S i薄膜所造成的影响进行了详细的分析和... 详细信息

研究了M EVVA离子注入机在F e/S i系薄膜制备过程中产生的颗粒污染问题以及颗粒污染对薄膜质量带来的影响。选取不同制备条件下的F e/S i薄膜,采用电子探针、透射电镜等分析手段对颗粒污染给F e/S i薄膜所造成的影响进行了详细的分析和讨论。分析结果表明,M EVVA源离子注入机产生的颗粒污染主要包括F e、A l、C、O等几种元素,这其中F e和A l元素的污染较为严重。不同注入时期引入的颗粒对F e/S i系薄膜的质量会产生不同程度的影响,针对不同的影响可以找到一些解决方法来克服薄膜质量下降的问题。

关键词：颗粒污染 mevva源离子注入 Fe/Si薄膜

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利用mevva源的离子混合形成氮化钛薄膜

机械工程师 1999年第12期 10-11页

作者：田修波王晓峰刘爱国汤宝寅哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室黑龙江哈尔滨150001

研究采用了ＭＥＷＡ源等离子体浸没离子注入的方法。利用钛的等离子体的沉积与自身离子的注入．形成ＩＢＡＤ效应。在氮气气氛环境下，在ＡＩＳ１３０４不锈钢表面获得了氮化钛膜。ＡＦＳ结果表明，由于钛的高电荷态和重离子效应使得钛... 详细信息

研究采用了ＭＥＷＡ源等离子体浸没离子注入的方法。利用钛的等离子体的沉积与自身离子的注入．形成ＩＢＡＤ效应。在氮气气氛环境下，在ＡＩＳ１３０４不锈钢表面获得了氮化钛膜。ＡＦＳ结果表明，由于钛的高电荷态和重离子效应使得钛与基体获得了较厚的原子混合层。

关键词：氮化钛 mevva源离子注入薄膜

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基于载能离子束技术制备超薄无胶挠性覆铜板

表面技术 2023年第9期52卷 313-321页

作者：张一凡闫维卿李倩袁恒沈永清陈琳庞盼欧阳潇廖斌北京师范大学核科学与技术学院北京100875 北京市科学技术研究院北京100083

目的开发超薄的无胶二层挠性覆铜板(2L-FCCL)。方法融合mevva离子注入、磁过滤阴极真空弧和化学电镀技术在柔性聚酰亚胺表面构筑梯度金属化结构,并为超薄无胶二层挠性覆铜板的制备提供解决方案。结果通过XPS、ATR-FTIR光谱及反应分子动... 详细信息

目的开发超薄的无胶二层挠性覆铜板(2L-FCCL)。方法融合mevva离子注入、磁过滤阴极真空弧和化学电镀技术在柔性聚酰亚胺表面构筑梯度金属化结构,并为超薄无胶二层挠性覆铜板的制备提供解决方案。结果通过XPS、ATR-FTIR光谱及反应分子动力学(ReaxFF-MD)模拟证明了Ni+注入过程中聚酰亚胺亚表层互键连网络的形成,这种离子螯合反应带来的机械互锁效应能够极大提高界面附着强度。此外,磁过滤阴极真空弧技术制备的γ(Ni-Cr)合金过渡层具有良好的柔韧性和延展性,有助于Cu膜的后续生长,并增强协同变形能力。通过45°剥离试验测得NiCr合金层与聚酰亚胺基底之间的附着强度为(1.75±0.16)N/mm,而精细化挠性覆铜线路经历1000次弯折试验后在其高变形区域未观察到裂纹萌生或线路剥落现象。结论通过mevva离子注入与磁过滤阴极真空弧技术的耦合可以显著提升挠性覆铜板的机械稳定性,有望应用于高端挠性覆铜板的工业化制备。

关键词：挠性覆铜板离子注入 mevva源磁过滤阴极真空弧分子动力学界面

磁场对麦瓦(mevva)离子源电荷密度分布的影响

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天津师范大学学报（自然科学版） 2003年第1期23卷 59-62页

作者：刘谦祥郭希铭赵杰天津师范大学物理与电子信息学院天津300074

为解决麦瓦(mevva)离子源束流的径向分布均匀性问题,采取了加入会切磁场的方法.会切磁场的安放位置不同得到束流分布均匀性的程度不同.另外,如安放一纵向磁场对分布的均匀性也有改善,但不如在合适位置安放会切磁场的效果好.

关键词： mevva源电荷密度会切磁场