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MEVVA源金属离子注入和金属等离子体浸没注入

MEVVA Ion Implantation and Metal Plasma Immersion Ion Implantation

作     者:张涛 侯君达 Zhang Tao;Hou Junda

作者机构:北京师范大学低能核物理所 

出 版 物:《中国表面工程》 (China Surface Engineering)

年 卷 期:2000年第13卷第3期

页      面:8-12页

学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家863高技术项目资助!(863-715-008-0040) 

主  题:金属离子注入 MEVVA源 PIll技术 

摘      要:MEVVA源金属离子注入技术和金属等离子体浸没注入技术MePIII的共同特性是强流金属离子注入。它们各具长处,相互补充,共同发展。前者因无鞘层重叠问题和其方向强的特点,特别适用于小件、简单件的大批量金属离子注入处理,能保证处理的均匀性和高效率。后者因无视线加工限制并克服了保持剂量问题,特别适用于处理体积较大、形状复杂的工件,能保证工件所有暴露表面的加工均匀性,调整工作参数,还能进行金属膜沉积和各种沉积/注入比例的动态增强沉积金属、合金及化合物膜制备。综述上述二者的开发、工作原理、材料表面改性研究和工业应用新进展。

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