MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究
STUDY OF Nd SILICIDES SYNTHESIS BY MEVVA SOURCE ION IMPLANTATION作者机构：南昌大学物理学系江西南昌330047 南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047 北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室北京100875 复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433
出 版 物：《南昌大学学报（理科版）》 (Journal of Nanchang University(Natural Science))
年 卷 期：2002年第26卷第3期
页 面：259-261页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (6 976 6 0 0 1)
主 题：MEVVA源 离子注入 钕硅化物 结构 集成电路 离子束工艺 结晶性能 导电性
摘 要：用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。
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