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检索条件"主题词=激活能"
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基于分层编码晶体结构(HECS)描述符的机器学习预测立方相锂-硫银锗矿电解质材料的激活能
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Science Bulletin 2021年 第14期66卷 1401-1408,M0003页
作者: 赵倩 Maxim Avdeev 陈立泉 施思齐 Materials Genome Institute Shanghai UniversityShanghai 200444China Australian Nuclear Science and Technology Organization New Illawarra RdLucas HeightsNSW 2234Australia School of Chemistry The University of SydneySydney 2006Australia Key Laboratory for Renewable Energy Institute of PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190China School of Materials Science and Engineering Shanghai UniversityShanghai 200444China
合理设计高离子电导率和低活化(Ea)的固态电解质(SSEs)对全固态电池至关重要.近年来,基于各种描述符的机器学习技术成功地预测了锂离子在SSEs中的传导特性.本文建立了一个通用的基于HECS描述符的机器学习预测无机SSEs材料Ea的框架,并... 详细信息
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LED球泡灯光衰激活能评估方法
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河北大学学报(自然科学版) 2023年 第6期43卷 589-594页
作者: 武德起 武夷平 楚晓杏 中国科学院微电子研究所 北京100029 河南机电职业学院产业技术研究院 河南郑州451191
通过对BPZ 220/5 W JA55型阳光球泡灯进行额定功率下40℃和60℃温度应力加速寿命实验,分析了该款LED球泡灯的失效机理.通过推导激活能计算公式,建立了计算光衰激活能的理论模型,给出了测试LED球泡灯光衰激活能方法.通过实验测定该款球... 详细信息
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多次可编程非易失性存储器的数据保持力测试及其激活能分析
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半导体技术 2022年 第1期47卷 65-69页
作者: 王宇龙 王明 成都锐成芯微科技股份有限公司 成都610041
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持力,并根据Arrhenius模型设计了高温... 详细信息
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表面制备SiO_2涂层的Ti_2AlNb基合金高温氧化激活能研究
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材料工程 2013年 第7期41卷 6-10页
作者: 任保轶 王思林 刘子儒 张学军 沈阳化工大学应用化学学院 沈阳110142 通用哈电风(沈阳)有限公司 沈阳110168
利用溶胶-凝胶法在Ti2AlNb基合金表面制备非晶SiO2涂层,测定了涂层样品和空白样品在800℃和900℃下空气氧化增重动力学数据,通过线性拟合获取试样在不同温度下的氧化速率常数。根据氧化速率常数的Arrhenius关系,计算试样在800℃和900℃... 详细信息
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电注入着色溴化钾晶体光谱特性及激活能
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人工晶体学报 2014年 第8期43卷 2042-2046页
作者: 宋翠英 天津商业大学物理系 天津300134
利用电注入着色装置,分别使用点阴极与平板阳极和点阳极与平板阴极在不同条件下对溴化钾晶体进行电注入着色。点阴极注入时,在着色晶体中产生V色心和F色心,计算得到F色心激活能0.84 eV。点阳极注入时,在着色晶体中产生V色心,计算得到V... 详细信息
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电注入着色氯化钠晶体光谱特性及激活能
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人工晶体学报 2011年 第1期40卷 247-250页
作者: 宋翠英 王瑞 高云娥 成增运 顾洪恩 天津商业大学物理系 天津300134 天津大学物理系 天津300072
用自行研制的电注入装置,在不同条件下对氯化钠晶体进行电注入并使之有效着色。在着色晶体中有效地产生大量F、胶体C和N心,并研究了色心形成机理。对着色氯化钠晶体进行了系统光谱测量确定出这些色心的吸收光谱带光谱参数。通过计算得... 详细信息
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激活能测试装置设计及微晶硅薄膜激活能测试
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山东大学学报(工学版) 2010年 第4期40卷 149-152页
作者: 陈庆东 王俊平 张宇翔 卢景霄 滨州学院物理与电子科学系 山东滨州256603 郑州大学材料物理教育部重点实验室 河南郑州450052
为了分析微晶硅薄膜的本征特性,设计了激活能测试装置。测试装置包括测试平台、真空系统和加热控制系统。同时给出激活能计算方法,并对不同电压、不同取点个数对激活能测试的影响进行分析。分析结果表明,不同测试电压对激活能测试结果... 详细信息
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In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
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发光学报 2010年 第1期31卷 91-95页
作者: 张延召 秦志新 桑立雯 许正昱 于涛 杨子文 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871 洛阳光电研究所 河南洛阳471009
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMI... 详细信息
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VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜激活能特性研究
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人工晶体学报 2009年 第6期38卷 1424-1428,1432页
作者: 陈庆东 王俊平 李洁 张宇翔 卢景霄 滨州学院物理与电子科学系 滨州256600 郑州大学材料物理教育部重点实验室 郑州450052
采用激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同晶化率的样品和不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明:在非晶-微晶相变域附近,激活能随着晶化率的升高而降低;随着沉积... 详细信息
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激活能真空自动测试系统的研发
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真空与低温 2017年 第6期23卷 323-330页
作者: 王广才 赵广澍 朱小峰 胡鹏飞 欧琳 王玉芳 彭文博 张晓丹 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光学信息技术和科学教育部重点实验室 天津300071 南开大学物理科学学院 天津300071 中国华集团清洁源技术研究院有限公司 北京102209
为提高激活能测量的精度,采用全封闭金属钟罩避免光的干扰,用环形包覆加热腔和保温隔热盒的方法测量温度,在自然冷却时测量电流来避免交流信号对弱信号的干扰,采用吉时利K617静电计获得了8 fA的测量精度。通过PLC和LabVIEW软件编程,实... 详细信息
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