多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析

作     者：王宇龙 王明 Wang Yulong;Wang Ming

作者机构：成都锐成芯微科技股份有限公司成都610041 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2022年第47卷第1期

页      面：65-69页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：四川省科技计划项目(2019YJ0626) 

主　　题：嵌入式非易失性存储器(eNVM) 多次可编程(MTP)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能 

摘      要：基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10^(4)次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。