VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜激活能特性研究
Investigation on Activation Energy of Intrinsic Microcrystalline Silicon Thin Films Deposited by VHF-PECVD作者机构：滨州学院物理与电子科学系滨州256600 郑州大学材料物理教育部重点实验室郑州450052
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2009年第38卷第6期
页 面：1424-1428,1432页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
摘 要：采用激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同晶化率的样品和不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明:在非晶-微晶相变域附近,激活能随着晶化率的升高而降低;随着沉积功率的增大和沉积气压的增大,沉积速率提高,样品的激活能升高,通过提高沉积功率和沉积气压可以有效的抑制氧污染。
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