In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响

作     者：张延召 秦志新 桑立雯 许正昱 于涛 杨子文 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 ZHANG Yan-zhao;QIN Zhi-xin;SANG Li-wen;XU Zheng-yu;YU Tao;YANG Zi-wen;SHEN Bo;ZHANG Guo-yi;ZHAO Lan;ZHANG Xiang-feng;CHENG Cai-jing;SUN Wei-guo

作者机构：北京大学物理学院；人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 洛阳光电研究所河南洛阳471009 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2010年第31卷第1期

页      面：91-95页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家自然科学基金(10774001,60736033,60776041,60876041) 国家重点基础研究发展计划(2006CB604908,2006CB921607) 国家“973”计划(TG2007CB307004)资助项目 

主　　题：p-AlxGa1-xN In气氛 激活能 深紫外LED 

摘      要：Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。