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    • 1 篇 特种医学

主题

  • 1 篇 in气氛
  • 1 篇 p-alxga1-xn
  • 1 篇 深紫外led
  • 1 篇 激活能

机构

  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 洛阳光电研究所

作者

  • 1 篇 于涛
  • 1 篇 张国义
  • 1 篇 沈波
  • 1 篇 杨子文
  • 1 篇 许正昱
  • 1 篇 秦志新
  • 1 篇 张延召
  • 1 篇 桑立雯
  • 1 篇 孙维国
  • 1 篇 赵岚
  • 1 篇 成彩晶
  • 1 篇 张向锋

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=p-AlxGa1-xN"
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In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-alxga1-xn激活能的影响
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发光学报 2010年 第1期31卷 91-95页
作者： 张延召 秦志新 桑立雯 许正昱 于涛 杨子文 沈波 张国义 赵岚 张向锋 成彩晶 孙维国 北京大学物理学院；人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871 洛阳光电研究所 河南洛阳471009
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-alxga1-xn材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-alxga1-xn材料生长过程中引入三甲基铟(TMI... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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