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内蒙古大学学报（自然科学版） 2008年第3期39卷 263-268页

作者：周晓娟班士良内蒙古大学物理科学与技术学院呼和浩特010021

考虑导带弯曲和有限高势垒,利用变分法和力平衡方程研究了界面光学声子和半空间光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,数值计算了各支光学声子作用下迁移率随电子面密度及温度的变化.结果表明:总迁移率随... 详细信息

考虑导带弯曲和有限高势垒,利用变分法和力平衡方程研究了界面光学声子和半空间光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,数值计算了各支光学声子作用下迁移率随电子面密度及温度的变化.结果表明:总迁移率随电子面密度先上升后下降,随温度升高则一直呈下降趋势.在较低电子面密度时,沟道区的体纵光学声子散射为影响迁移率的主要因素;当电子面密度大于4×1013/cm2时,界面声子散射成为主要因素.

关键词： AlN/GaN异质结电子迁移率光学声子散射

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GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究

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Journal of Semiconductors 1997年第7期18卷 497-501页

作者：靳彩霞王东红凌震俞根才王杰黄大鸣侯晓远沈孝良姚文华复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模... 详细信息

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性．其中，ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化．用改进了的随机元等位移（MREI）模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系，并与测量结果作了比较，理论和实验符合很好．

关键词：砷化镓衬底分子束外延光学声子散射合金

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基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器

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北京交通大学学报 2005年第6期29卷 46-50页

作者：郑小秋吕燕伍北京交通大学理学院北京100044

给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示... 详细信息

给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K.

关键词：量子级联激光器氮化物半导体有效质量理论光学声子散射

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压力下光学声子对应变纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响

压力下光学声子对应变纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响

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作者：周晓娟内蒙古大学

学位级别：硕士

本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法,在光学声子散射起主要作用温区,从理论上讨论在其散射下,应变纤锌矿AlN/GaN单异质结中电子的迁移率及其应变和压力效应.考虑导带弯曲和有限高势垒的真实异质结势及电子的隧穿效应,给出界... 详细信息

本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法,在光学声子散射起主要作用温区,从理论上讨论在其散射下,应变纤锌矿AlN/GaN单异质结中电子的迁移率及其应变和压力效应.考虑导带弯曲和有限高势垒的真实异质结势及电子的隧穿效应,给出界面(IF)及半空间(HS)光学声子作用下电子迁移率随面密度N及温度T变化的数值计算结果. 结果表明:当N由1.0×10/cm变化到6.5×10/cm时,迁移率随压力的增加而下降.异质结界面处的应变也会导致迁移率下降,且考虑应变后,压力对迁移率的影响将减弱。当温度由250K增加至600K时,应变和压力效应则更为显著.当温度为定值时(300K),随着N的增加,迁移率先升后降,而应变及压力则使该趋势减弱。结果还表明:来自沟道区的半空间声子模的散射对迁移率起主导作用,而随着N的增加,界面声子的散射作用逐渐显著。但无论是否考虑应变和压力效应,电子迁移率均随温度增加而下降.

关键词：流体静压力电子迁移率应变AlN/GaN异质结光学声子散射

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高k栅介质Ge MOS器件迁移率模型及制备工艺研究

高k栅介质Ge MOS器件迁移率模型及制备工艺研究

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作者：肖霞华中科技大学

学位级别：硕士

随着器件尺寸的不断缩小和电路集成度的不断提高,高k /多晶硅栅结构中的费米钉扎使得多晶硅不再是理想的栅电极。有研究称高k /金属栅结构不仅可以获得低栅薄层电阻、无耗尽的栅、还可以使由高k层产生的光学声子与沟道载流子之间的耦合... 详细信息

随着器件尺寸的不断缩小和电路集成度的不断提高,高k /多晶硅栅结构中的费米钉扎使得多晶硅不再是理想的栅电极。有研究称高k /金属栅结构不仅可以获得低栅薄层电阻、无耗尽的栅、还可以使由高k层产生的光学声子与沟道载流子之间的耦合减小,对沟道载流子迁移率的提高有显著效果,这使得金属栅逐渐呈现出取代多晶硅栅的趋势。目前,高k /金属栅结构已经成为世界上一些知名半导体公司的研究焦点。在对栅电极研究的同时,高k栅介质制备工艺以及MOS电容的电特性研究仍然是当前的热点。本文研究了高k栅介质金属栅Ge MOS迁移率模型。在器件物理的基础上,考虑了MOSFET中用金属栅代替多晶硅栅后光学声子迁移率的变化情况。模型分析了非理想金属栅电极中各种因素对器件光学声子迁移率和有效总迁移率的影响,并对具有高k /金属栅结构器件中的光学声子迁移率和总有效迁移率进行了模拟分析,将其分别与具有高k /多晶硅栅结构器件中的对应量进行比较,发现金属栅的使用将会使沟道载流子迁移率得到很大程度的提高。利用该模型,对金属栅的屏蔽作用在理论上进行了分析和讨论,从理论上说明了金属栅对介质层激发的声子确实具有屏蔽作用,能有效提高器件迁移率。本文研究了用绝缘的氮氧化物对Ge进行钝化制备MOS电容的工艺,并对样品进行了测试。首先通过对不同条件下制得的Ge MOS电容样品的电特性进行分析,确定出了最合适的退火环境和退火温度;其次根据有界面层(TaON和AlON)和无界面层Ge MOS电容样品电特性的差异,研究了这两种不同界面层对Ge MOS电容性能的改善情况,通过比较发现有界面钝化层的样品表现出较好的界面特性。这是因为有钝化层的样品可以有效地抑制低k GeOx的生成,而表现出高的可靠性和好的界面质量。最后比较具有不同界面层的样品电特性发现,TaON比AlON有更好的钝化作用。

关键词： MOSFET 高k栅介质金属栅迁移率光学声子散射界面特性

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氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计

氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计

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2004年中国材料研讨会

作者：吕燕伍北京交通大学物理系

＜正＞半导体量子级联激光材料已经提出几种不同的材料体系[1-3],在GaAs/AlGaAs材料上实现了中远红外的量子级联激光器,但是运行温度都比较低,大约150K[4-11]。主要问题是在高温下电子的热激发使电子从基态跃迂到激发态,降低了两态的粒... 详细信息

＜正＞半导体量子级联激光材料已经提出几种不同的材料体系[1-3],在GaAs/AlGaAs材料上实现了中远红外的量子级联激光器,但是运行温度都比较低,大约150K[4-11]。主要问题是在高温下电子的热激发使电子从基态跃迂到激发态,降低了两态的粒子数反转。本文利用氮化物半导体光学声子能量比较大的特性（～90meV）,设计可在室温下运行的中远红外量子级联激光器材料系统。有源层的设计考虑到氮化物半导体材料内部的极化电场和外加偏压,每个周期由3个量子阱和3

关键词：激光器材料氮化物半导体量子级联激光器光学声子散射阈值光学增益

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氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计

氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计

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2004年中国材料研讨会

作者：吕燕伍 Greg Sun 北京交通大学物理系麻萨诸塞州立大学物理系

本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性。在量子阱AlGaN/GaN中纵向光学（LO）声子散射的能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大LO声子能量（... 详细信息

本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性。在量子阱AlGaN/GaN中纵向光学（LO）声子散射的能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大LO声子能量（约90meV）,有效地减少高温下产生激光低能态的热布居。分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度（832 A/cm2）能够实现室温下产生50/cm的阈值光学增益,而且这种结构的特征温度高于136 K。

关键词：量子级联激光器氮化物半导体有效质量理论光学声子散射

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