基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器
Far-Infrared Quantum Cascade Lasers Based on Nitride Semiconductor Materials作者机构：北京交通大学理学院北京100044
出 版 物：《北京交通大学学报》 (JOURNAL OF BEIJING JIAOTONG UNIVERSITY)
年 卷 期：2005年第29卷第6期
页 面：46-50页
核心收录：
学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
主 题：量子级联激光器 氮化物半导体 有效质量理论 光学声子散射
摘 要：给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K.
维普期刊数据库
同方期刊数据库