氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计
作者单位：北京交通大学物理系 麻萨诸塞州立大学物理系
会议名称：《2004年中国材料研讨会》
会议日期：2005年
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
关 键 词：量子级联激光器 氮化物半导体 有效质量理论 光学声子散射
摘 要：本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性。在量子阱AlGaN/GaN中纵向光学（LO）声子散射的能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大LO声子能量（约90meV）,有效地减少高温下产生激光低能态的热布居。分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度（832 A/cm2）能够实现室温下产生50/cm的阈值光学增益,而且这种结构的特征温度高于136 K。