氮化物半导体中远红外量子级联激光器材料设计
作者单位：北京交通大学物理系
会议名称：《2004年中国材料研讨会》
会议日期：2004年
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
关 键 词：激光器材料 氮化物半导体 量子级联激光器 光学声子散射 阈值光学增益
摘 要：正半导体量子级联激光材料已经提出几种不同的材料体系[1-3],在GaAs/AlGaAs材料上实现了中远红外的量子级联激光器,但是运行温度都比较低,大约150K[4-11]。主要问题是在高温下电子的热激发使电子从基态跃迂到激发态,降低了两态的粒子数反转。本文利用氮化物半导体光学声子能量比较大的特性（～90meV）,设计可在室温下运行的中远红外量子级联激光器材料系统。有源层的设计考虑到氮化物半导体材料内部的极化电场和外加偏压,每个周期由3个量子阱和3