GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究
Optical Phonons Scattering Study of ZnTe_(1-x)S_x Alloys Grown on GaAs(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy作者机构:复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433
出 版 物:《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期:1997年第18卷第7期
页 面:497-501页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx(0x1)合金.用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究.通过对其光学声子频率随x的变化研究发现,ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性.其中,ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化.用改进了的随机元等位移(MREI)模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系,并与测量结果作了比较,理论和实验符合很好.