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半导体场效应型气体传感器的研究现状与未来

传感器技术 1993年第3期12卷 6-11页

作者：牛蒙年东南大学

集成技术在未来传感器制作中起重要作用。综述了与集成工艺兼容的半导体场效应气体传感器的研究现状与未来发展。

关键词：集成技术半导体气体传感器

Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响

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Journal of Semiconductors 1996年第7期17卷 522-528页

作者：牛蒙年丁辛芳童勤义东南大学微电子中心中科院上海冶金所传感技术国家重点实验室

在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ... 详细信息

在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据．

关键词：氮化硅绝缘栅表面基模型 pH-ISFET器件

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氧化物－电解溶液界面的表面基吸附模型研究

Journal of Semiconductors 1996年第6期17卷 458-463页

作者：牛蒙年丁辛芳童勤义东南大学微电子中心

基于统计物理学和两层吸附模型提出氧化物－电解溶液（ＯＡＥ）界面的表面基吸附模型，推导出完全由微观物理、化学参量描述的ＯＡＥ界面电荷密度与电势的关系表达式，结果与实验数据的拟合在零电荷点附近令人满意，并对理论结果进行了... 详细信息

基于统计物理学和两层吸附模型提出氧化物－电解溶液（ＯＡＥ）界面的表面基吸附模型，推导出完全由微观物理、化学参量描述的ＯＡＥ界面电荷密度与电势的关系表达式，结果与实验数据的拟合在零电荷点附近令人满意，并对理论结果进行了讨论．

关键词： OAE界面表面基吸附模型场效应器件

新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制

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应用科学学报 1997年第1期15卷 75-81页

作者：牛蒙年丁辛芳东南大学

报道了一种新型微流通池ｐＥ－ＩＳＦＥＴ集成传感器，该集成传感器采用常规ＩＣ工艺、微加工技术和键合技术，实现微流通池、四对长臂式ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ传感器（差分测量用）和Ｔｉ／Ａｕ膜伪参考电极芯片一体化结构，芯片面积... 详细信息

报道了一种新型微流通池ｐＥ－ＩＳＦＥＴ集成传感器，该集成传感器采用常规ＩＣ工艺、微加工技术和键合技术，实现微流通池、四对长臂式ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ传感器（差分测量用）和Ｔｉ／Ａｕ膜伪参考电极芯片一体化结构，芯片面积为８ｍｍｘ６ｍｍ，微流通池体积为０．７ｍｍｘ５．０ｍｍ×０．３ｍｍ，当集成传感器外部配上蠕动泵、注入阀和测量电路则构成微流通池ｐＨ－ＩＳＦＥＴ流动注入分析（ＦＩＡ）系统。实验结果表明，该集成传感器和ＦＩＡ系统具有响应快、耗样液量少等特点，且稳定性和可靠性大为提高。

关键词：传感器微流通池 pH-ISFET传感器流动注入分析

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离子敏场效应晶体管

传感器技术 1995年第4期14卷 1-6页

作者：丁辛芳牛蒙年东南大学微电子中心

近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。

关键词： ISFET器件敏感机理离子敏场效应晶体管

电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究

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电子学报 1996年第11期24卷 38-42页

作者：牛蒙年丁辛芳童勤义中科院上海冶金所东南大学微电子中心

本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其... 详细信息

本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。

关键词：表面基模型复合中心理论半导体物理传感器

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离子敏感场效应器件研究的进展

仪器仪表学报 1995年第3期16卷 322-325页

作者：牛蒙年丁辛芳童勤义中国科学院上海冶金所东南大学

离子敏感场效应器件研究的进展牛蒙年（中国科学院上海冶金所）丁辛芳，童勤义（东南大学）０引言离子敏感场效应器件自问世至今已有二十多年，目前已能成功地对二十多种离子进行传感，而且形成多种对生物信号敏感的场效应结构传感器，... 详细信息

离子敏感场效应器件研究的进展牛蒙年（中国科学院上海冶金所）丁辛芳，童勤义（东南大学）０引言离子敏感场效应器件自问世至今已有二十多年，目前已能成功地对二十多种离子进行传感，而且形成多种对生物信号敏感的场效应结构传感器，如ＢｉｏＦＥＴ、ＥＮＦＥＴ、ＩＭＦ...

关键词：离子敏感材料场效应器件制造发展

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甩统计理论对半导体陶瓷气敏机理的研究

传感技术学报 1991年第2期4卷 23-29页

作者：牛蒙年鲍凤岐内蒙古大学

本文试图对半导体陶瓷气敏元件的敏感机理提出理论模型。假定吸附表面态由吸附的氧离子构成,则在吸附还原气体时,将伴随着向体内发射自由电子。运用统计热力学的一般方法给出电导率随气体浓度、加热温度以及材料参数变化的解析表达式,... 详细信息

本文试图对半导体陶瓷气敏元件的敏感机理提出理论模型。假定吸附表面态由吸附的氧离子构成,则在吸附还原气体时,将伴随着向体内发射自由电子。运用统计热力学的一般方法给出电导率随气体浓度、加热温度以及材料参数变化的解析表达式,从而得到灵敏度与加热温度、气体浓度和材料参数的定量关系,所得结果与实验结果基本符合。

关键词：统计理论半导体陶瓷气敏机理电导率表面空间电荷层

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背面引线压力／氢离子敏传感器的研究

应用科学学报 1995年第3期13卷 359-362页

作者：牛蒙年林崴袁东南大学

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦ... 详细信息

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器，设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统，经实际工艺流水制成了样管，初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。

关键词：背面引线压力敏传感器氢离子敏