电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究
A Study of Surface-Site/Recombination Center Model for Electrolyte-Insulator(Si_3N_4)Interface作者机构：中科院上海冶金所东南大学微电子中心
出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)
年 卷 期：1996年第24卷第11期
页 面：38-42页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。
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