SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜
Preparation of poly-silicon thin film in low temperature using SiCl_4/H_2 gas source作者机构：汕头大学物理系广东汕头515063
出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期：2002年第33卷第6期
页 面：650-652页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家科委国家重大基础研究"973"资助项目 (G2 0 0 0 0 2 82 0 )
主 题：多晶硅薄膜 SiCl4/H2气源 低温生长 结晶度
摘 要：以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。
维普期刊数据库
同方期刊数据库