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SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜

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功能材料 2002年第6期33卷 650-652页

作者：黄创君林璇英林揆训余云鹏余楚迎池凌飞汕头大学物理系广东汕头515063

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低... 详细信息

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。

关键词：多晶硅薄膜 SiCl4/H2气源低温生长结晶度

用SiCl_4-H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

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物理学报 2004年第5期53卷 1558-1561页

作者：林璇英黄创君林揆训余运鹏余楚迎黄锐汕头大学物理系汕头515063

用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的... 详细信息

用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .

关键词：拉曼散射光谱多晶硅薄膜晶体结构射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术晶化度

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

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Chinese Physics Letters 2003年第10期20卷 1879-1882页

作者：林璇英黄创君林揆训余运鹏余楚迎池凌飞 DepartmentofPhysics ShantouUniversityShantou515063

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200°C by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power. The maximum crystallinity and the crystalline grain size are over 80% and 200-500 nm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.

关键词：多晶硅薄膜低温生长 SiCl4/H2 等离子体增强化学气相沉积 PECVD 四氯化硅

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低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用

功能材料 2001年第6期32卷 561-563页

作者：黄创君林璇英林揆训余楚迎姚若河汕头大学物理系广东汕头515063

多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相沉积... 详细信息

多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相沉积 (PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。

关键词：多晶硅固相晶化非晶硅氢合金薄膜薄膜硅太阳能电池

PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟

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功能材料 2001年第5期32卷 506-507页

作者：姚若河林璇英黄创君杨坤进林揆训汕头大学物理学系广东汕头515063

利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随... 详细信息

利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大。

关键词：计算机模拟 Monte Carlo方法 PCVD 氢化非晶硅合金薄膜 α-Si:H薄膜

以SiCl4-H2为气源制备的多晶硅薄膜的结构特性

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以SiCl4-H2为气源制备的多晶硅薄膜的结构特性

2003年中国太阳能学会学术年会

作者：林璇英黄创君余运鹏余楚迎林揆训魏俊红黄锐汕头大学物理系

以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜。用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大。用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球形的纳米尺寸的颗... 详细信息

以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜。用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大。用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球形的纳米尺寸的颗粒构聚而成。我们认为,具有晶相结构的纳米晶粒在空间等离子体区形成,然后扩散到衬底,而Cl元素在低温晶化过程中起了很重要的作用。

关键词：多晶硅薄膜 Raman散射光谱低温晶化纵向结构特性

来源： cnki会议评论

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铝诱导的非晶硅薄膜低温快速晶化

铝诱导的非晶硅薄膜低温快速晶化

2000年中国材料研讨会

作者：林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎石旺舟姚若河黄创君杨坤进汕头大学物理系汕头大学物理系汕头大学物理系汕头大学物理系汕头大学物理系汕头大学物理系汕头大学物理系汕头大学物理系汕头大学物理系

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min。退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退火温度为550℃时,大部分（约80%）的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为600℃时,几乎所有的非... 详细信息

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min。退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退火温度为550℃时,大部分（约80%）的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为1500nm。

关键词：非晶硅多晶硅固相晶化

来源： cnki会议评论

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高炉本体钢结构安装技术研究

中文科技期刊数据库（文摘版）工程技术 2024年第5期 0048-0051页

作者：黄创宇十一冶建设集团有限责任公司广西柳州545007

高炉本体钢结构安装工程具备安装周期长、安装构件复杂等特点,若高炉本体钢结构安装工艺执行不到位容易使得设备安装效果下降,设备运行时也容易产生设备振动、运行异常现象。而现有研究虽然在高炉本体钢结构安装技术上取得一定进展,但... 详细信息

高炉本体钢结构安装工程具备安装周期长、安装构件复杂等特点,若高炉本体钢结构安装工艺执行不到位容易使得设备安装效果下降,设备运行时也容易产生设备振动、运行异常现象。而现有研究虽然在高炉本体钢结构安装技术上取得一定进展,但仍然需要改进的方面。例如,对于高炉本体钢结构安装施工现场实际情况缺少考虑,安装工艺落实难。因此,本文在探讨高炉本体钢结构安装标准基础上,详细分析高炉本体钢结构安装技术的基本运用方法,从而弥补现有高炉本体钢结构安装局部空白,为高炉成本正常运转奠定基础。

关键词：高炉炉壳炉体框架钢结构安装技术

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镁合金高耐蚀表面处理技术的研究进展

电镀与涂饰 2024年第1期43卷 87-97页

作者：赖心翘刘宁华易爱华黄创广州三孚新材料科技股份有限公司广东广州510665 东莞理工学院材料科学与工程学院广东东莞523808 华南农业大学材料与能源学院广东广州510642

[目的]随着加工技术水平的不断提高,镁合金应用范围迅速扩展,市场需求不断增长。然而镁合金化学活性高,在环境中极易发生腐蚀而造成金属部件失效。因此镁合金的防腐处理至关重要。[方法]综述了改善镁合金耐蚀性的几种常用表面处理技术... 详细信息

[目的]随着加工技术水平的不断提高,镁合金应用范围迅速扩展,市场需求不断增长。然而镁合金化学活性高,在环境中极易发生腐蚀而造成金属部件失效。因此镁合金的防腐处理至关重要。[方法]综述了改善镁合金耐蚀性的几种常用表面处理技术的研究进展,包括化学转化、微弧氧化、电镀、电泳沉积、溶胶-凝胶处理、水热处理和喷涂。[结果]对镁合金进行适当的表面处理能够显著提高其耐蚀性。[结论]目前镁合金表面防腐处理已取得一定的进展,但还有许多待改进之处。

关键词：镁合金耐腐蚀表面处理综述