用SiCl_4-H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

作     者：林璇英 黄创君 林揆训 余运鹏 余楚迎 黄锐 Lin Xuan-Ying Huang Chuang-Jun Lin Kui-Xun Yu Yun-Peng Yu Chu-Ying Huang Rui (Department of Physics, Shantou University, Shantou 515063,China)

作者机构：汕头大学物理系汕头515063 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2004年第53卷第5期

页      面：1558-1561页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (批准号:G2 0 0 0 0 28208)资助的课题~~ 

主　　题：拉曼散射光谱 多晶硅薄膜 晶体结构 射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 晶化度 

摘      要：用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .