检索结果-南通市图书馆

功能材料 1998年第2期29卷 178-179页

作者：姚若河林揆训石旺舟林璇英汕头大学物理学系

本文报道了采用四极质谱计在制备ａＳｉ∶Ｈ薄膜的ＰＣＶＤ系统中对ＳｉＨ４射频辉光放电进行在线的质谱研究。获取了在不同电离电压下的ＳｉＨ４质谱和不同辉光放电功率下的ＳｉＨ４质谱。

关键词：硅烷辉光放电质谱非晶硅薄膜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

射频辉光放电等离子体的电探针诊断

核聚变与等离子体物理 1994年第1期14卷 56-64页

作者：林揆训余云鹏林璇英王洪汕头大学物理系

本文简要叙述了探针诊断技术的作用，比较了单、双探针测量技术的异同，分析了当前所碰到的主要问题和各种可能的解决办法，着重报导了我们提出和制作的加热调谐单探针装置，不仅抑制了射频干扰，还克服了中毒效应对探针测量的影响。首... 详细信息

本文简要叙述了探针诊断技术的作用，比较了单、双探针测量技术的异同，分析了当前所碰到的主要问题和各种可能的解决办法，着重报导了我们提出和制作的加热调谐单探针装置，不仅抑制了射频干扰，还克服了中毒效应对探针测量的影响。首次成功地测量了射频辉光放电硅烷等离子体的电子能量分布函数、电子平均能量和密度。并对测量结果进行了简要的分析。

关键词：辉光放电探针诊断等离子体诊断

La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的外延生长及其机理研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 1999年第1期48卷 114-120页

作者：李美亚王忠烈熊光成范守善赵清太林揆训汕头大学科学院材料研究所北京大学物理系北京大学微电子研究所清华大学物理系

利用脉冲激光制膜法，在多种衬底和温度条件下，系统研究了Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３（ＬＳＣＯ）薄膜的结构和外延生长特性，在ＬａＡｌＯ３，ＳｒＴｉＯ３和ＭｇＯ衬底上实现了ＬＳＣＯ薄膜的外延生长．外延生长的薄膜具有低的电... 详细信息

利用脉冲激光制膜法，在多种衬底和温度条件下，系统研究了Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３（ＬＳＣＯ）薄膜的结构和外延生长特性，在ＬａＡｌＯ３，ＳｒＴｉＯ３和ＭｇＯ衬底上实现了ＬＳＣＯ薄膜的外延生长．外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征．研究表明，外延生长的最佳温度范围为７００—８００℃，最佳衬底为ＬａＡｌＯ３．并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对ＬＳＣＯ薄膜的生长与性能的影响及其机理．

关键词：薄膜 LSCO 超导体外延生长机理

溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 1997年第4期28卷 366-367页

作者：石旺舟林揆训林璇英汕头大学物理系

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和... 详细信息

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。

关键词：纳米复合薄膜砷化镓 XPS 二氧化硅半导体

Langmuir单探针诊断射频辉光放电等离子体及其数据处理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2001年第7期50卷 1313-1317页

作者：池凌飞林揆训姚若河林璇英余楚迎余云鹏汕头大学物理系汕头515063

Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计... 详细信息

Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计的微分电路 ,对探针特性二次微商进行在线测量 .这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合 .

关键词： Langmuir探针二次微商数值滤波微分电路数据处理等离子体诊断技术

纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料研究学报 1998年第5期12卷 555-557页

作者：石旺舟林揆训林璇英汕头大学功能材料研究所汕头大学汕头市515063

采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs－SiO2镶嵌复合薄膜．通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系．结果表明：薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2组成，GaAs在沉积过程中未明显氧化，... 详细信息

采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs－SiO2镶嵌复合薄膜．通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系．结果表明：薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2组成，GaAs在沉积过程中未明显氧化，且以纳米颗位形式均匀地弥散在SiO2中；

关键词：薄膜制备纳米半导体镶嵌复合砷化镓二氧化硅

溅射法制备纳米Ti和Zr结构的X射线衍射研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

科学通报 1997年第17期42卷 1815-1817页

作者：石旺舟姚若河林揆训林璇英汕头大学物理系汕头515063

金属Ti和Zr因其优异的气体吸附特性而被广泛地用作超高真空获得的气体吸附剂.常温常压下,它们均为密排六方(h.c.p.)结构;当温度或压力增高时便发生相应的结构相变:Ti在温度高于882℃时,由h.c. p.结构变为体心立方(b.c.c.)结构,即高温... 详细信息

金属Ti和Zr因其优异的气体吸附特性而被广泛地用作超高真空获得的气体吸附剂.常温常压下,它们均为密排六方(h.c.p.)结构;当温度或压力增高时便发生相应的结构相变:Ti在温度高于882℃时,由h.c. p.结构变为体心立方(b.c.c.)结构,即高温相结构;而Zr则在 3.9 ×10~8 Pa以上的高压下,变为ω相结构,即高压相结构. 纳米材料的重要特征之一是具有较大的比表面积,比表面积增大必将增强其气体的吸附能力.因此,纳米Ti和Zr的制备及其气体吸附特性的研究对真空获得技术具有重要意义.就其结构而言,比表面积的增加导致能量升高将可能诱发其原结构的不稳定性,即可能发生因颗粒细化诱导的相变.这便为获得一些具有反常结构的新材料开辟新的途径.本文报道Ti和Zr这方面探索的结果,以及采用X射线衍射技术分析溅射法制备的纳米Ti和Zr的晶格结构特征.其结果表明:用溅射法制备的金属Ti和Zr纳米材料在常温常压下,Ti具有b.c.c.高温相结构;而Zr则具有只有在高压下才能形成的ω相结构.

关键词：晶体结构 X射线衍射溅射法纳米材料钛锆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究

功能材料 1998年第2期29卷 175-177,187页

作者：林璇英姚若河余楚迎刘兴盛林揆训王洪石旺舟汕头大学物理系汕头大学材料科学技术研究所

用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向... 详细信息

用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明，发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的ＳｉＯ２层的发光中心。

关键词：纳米晶硅薄膜表面发光中心光致发光

SiH_4射频放电功率耗散机制的光发射研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2000年第2期31卷 144-145页

作者：石旺舟黄羽中姚若河林揆训林璇英汕头大学非晶半导体实验室广东汕头515063

采用OMA - 4 0 0 0测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱 ,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中 ,其等离子体状态分别发生性质不同的转变 ,这种转变联... 详细信息

采用OMA - 4 0 0 0测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱 ,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中 ,其等离子体状态分别发生性质不同的转变 ,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化。当反应气体流量增加时 ,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应 ;而在放电功率升高的过程中 ,离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。

关键词： SiH4 射频辉光放电功率耗散光发射谱

SiCl_4/H_2辉光放电等离子体中电子特性的在线检测

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2007年第10期38卷 1599-1602页

作者：祝祖送林揆训林璇英邱桂明安庆师范学院物理与电气工程学院安徽安庆246011 汕头大学物理系广东汕头515063

SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系... 详细信息

SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系统各参数:气体压强、射频功率及氢稀释度RH的变化规律。实验结果表明:随着气体压强的升高,电子浓度不断增大而电子平均能量不断减小;增大射频功率或减小氢稀释度RH,电子浓度和电子平均能量都相应增大。此外,并对实验结果进行了定性或半定量分析。本研究工作将有助于更好地理解SiCl4/H2放电机理,改善并优化沉积优质多晶硅薄膜的工艺参数。

关键词：加热Langmuir探针电子特性沉积速率 SiCl4/H2等离子体