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Zn_2SnO_4纳米材料制备及光致发光特性

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物理化学学报 2010年第5期26卷 1343-1348页

作者：赵传熙吴萍张丹莉陈荣池凌飞肖潭汕头大学物理系广东汕头515063

以ZnO、SnO2和活性炭的混合物为原料,通过碳热还原热蒸发法无催化剂成功制备出Zn2SnO4纳米材料.借助X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对样品物相和形貌进行了表征,结果显示样品为面心立方结构的Zn2SnO4纳米链状棒,同时... 详细信息

以ZnO、SnO2和活性炭的混合物为原料,通过碳热还原热蒸发法无催化剂成功制备出Zn2SnO4纳米材料.借助X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对样品物相和形貌进行了表征,结果显示样品为面心立方结构的Zn2SnO4纳米链状棒,同时含有少量的ZnO物相.利用X射线光电子能谱(XPS)对Zn2SnO4样品表面各元素的化学状态及相互作用方式进行了测试,结果表明:样品中Zn和Sn分别是以+2价和+4价氧化态形式存在,其中Zn2p3/2电子有两个结合能,分别来自ZnO和Zn2SnO4,Zn2SnO4中Sn4+占据不同的格点位置.室温下光致发光谱(PL)结果显示,样品在紫外区域(320-450nm)和可见区域存在很强的发光带,其中紫外区域的宽发光带,经过高斯拟合可分为358和385nm两个发光峰,与同条件下制备得到的纯ZnO纳米材料发光谱比较,确认358nm发光峰是来自于Zn2SnO4的近带边复合发光.

关键词：光致发光 Zn2SnO4纳米材料碳热还原热蒸发法 X射线光电子能谱

Langmuir单探针诊断射频辉光放电等离子体及其数据处理

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物理学报 2001年第7期50卷 1313-1317页

作者：池凌飞林揆训姚若河林璇英余楚迎余云鹏汕头大学物理系汕头515063

Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计... 详细信息

Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计的微分电路 ,对探针特性二次微商进行在线测量 .这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合 .

关键词： Langmuir探针二次微商数值滤波微分电路数据处理等离子体诊断技术

射频辉光放电等离子体的电探针诊断及数据处理

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物理学报 2000年第5期49卷 922-925页

作者：姚若河池凌飞林璇英石旺舟林揆训汕头大学物理学系汕头515063

Langmuir探针是等离子体诊断的一个重要方法 .对探针I V曲线进行求解二次微商是获得等离子体中的电子能量分布函数的关键 .由Fourier变换导出一个求解微商的数值解方法 .克服了现有方法所存在的缺点 .实现了对探针I V曲线求解二次微商... 详细信息

Langmuir探针是等离子体诊断的一个重要方法 .对探针I V曲线进行求解二次微商是获得等离子体中的电子能量分布函数的关键 .由Fourier变换导出一个求解微商的数值解方法 .克服了现有方法所存在的缺点 .实现了对探针I V曲线求解二次微商的精确、自动运算 .测量了硅烷射频辉光放电等离子体的平均电子能量 (温度 )和浓度随放电功率的变化 .

关键词：射频辉光放电等离子体电子探针诊断数据处理

等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响

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功能材料 2004年第6期35卷 755-757页

作者：魏俊红林璇英赵韦人池凌飞余云鹏林揆训黄锐王照奎余楚迎汕头大学物理系广东汕头515063

　采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。

关键词：调谐单探针等离子体化学气相沉积 Ar等离子体

等离子体的Langmuir探针诊断及数值滤波

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真空 1999年第6期36卷 20-24,25页

作者：池凌飞林揆训林璇英余云鹏余楚迎汕头大学物理系广东汕头515063

Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是诊断等离子体荷电粒子参数的重要手段。本文首次报道了用加热的调谐探针，在抑制了对探针的射频干扰和“中毒效应”之后，对探针Ｉ－Ｖ曲线的统计涨落噪声进行了数字滤波的光滑化处理，获得了射频辉光放电硅烷... 详细信息

Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是诊断等离子体荷电粒子参数的重要手段。本文首次报道了用加热的调谐探针，在抑制了对探针的射频干扰和“中毒效应”之后，对探针Ｉ－Ｖ曲线的统计涨落噪声进行了数字滤波的光滑化处理，获得了射频辉光放电硅烷等离子体的电子能量分布函数，平均能量（温度）和浓度等重要参数。

关键词：射频辉光放电数值滤波 Langmuir探针薄膜

氩直流辉光放电等离子体中电子运动及能量的模拟

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核聚变与等离子体物理 2004年第3期24卷 236-240页

作者：余云鹏林舜辉林旭升池凌飞林璇英林揆训汕头大学物理系汕头515063

采用自动调节时间步长的蒙特卡罗模拟,对平行板放电系统中的氩气直流辉光放电系统中的等离子体区内电子的运动过程进行了跟踪和抽样。统计结果表明:在我们的实验条件下,等离子体中的电子在电场作用下出现明显的轴向漂移;在40000次抽样中... 详细信息

采用自动调节时间步长的蒙特卡罗模拟,对平行板放电系统中的氩气直流辉光放电系统中的等离子体区内电子的运动过程进行了跟踪和抽样。统计结果表明:在我们的实验条件下,等离子体中的电子在电场作用下出现明显的轴向漂移;在40000次抽样中,出现能量为E的电子数目随能量E增大呈下降趋势,场强增大将引起能量分布展宽和电子平均能量增加;即使场强达到15V·cm-1,等离子体激发和电离仍是很少的;场强和气压都能明显改变电子的平均自由程。

关键词：辉光放电等离子体电子运动电子能量蒙特卡罗模拟

SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜

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功能材料 2002年第6期33卷 650-652页

作者：黄创君林璇英林揆训余云鹏余楚迎池凌飞汕头大学物理系广东汕头515063

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低... 详细信息

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。

关键词：多晶硅薄膜 SiCl4/H2气源低温生长结晶度

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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

物理学报 2002年第4期51卷 863-866页

作者：林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎黄创君汕头大学物理系汕头515063

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶... 详细信息

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm .

关键词：固相晶化多晶硅薄膜非晶硅薄膜低温快速晶化结构分析

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光滑曲面的硅微透镜列阵形成机理研究

汕头大学学报（自然科学版） 2002年第1期17卷 27-31页

作者：朱维安池凌飞汕头大学物理学系汕头515063

采用碱性腐蚀的典型微机械加工法 ,制备出了光滑曲面的硅微透镜列阵 ,对试验样品进行了轮廓曲线测试 ,计算出了该腐蚀工艺的快腐蚀面 .重点研究了微透镜列阵凹面的形成机理 ,提出了与试验测试结果相吻合的解释模型 .该模型对微光学透镜... 详细信息

采用碱性腐蚀的典型微机械加工法 ,制备出了光滑曲面的硅微透镜列阵 ,对试验样品进行了轮廓曲线测试 ,计算出了该腐蚀工艺的快腐蚀面 .重点研究了微透镜列阵凹面的形成机理 ,提出了与试验测试结果相吻合的解释模型 .该模型对微光学透镜的设计加工具有重要指导意义 .

关键词：硅微光学透镜台阶测试硅碱性腐蚀形成机理光滑曲面微光学器件硅微机械