TEM STUDY ON LOCALIZED RECRYSTALLIZATION SOI
TEM STUDY ON LOCALIZED RECRYSTALLIZATION SOI作者机构：General Research Inst for Nonferrous Metals Beijing China
出 版 物：《中国有色金属学会会刊：英文版》 (Transactions of Nonferrous Metals Society of China)
年 卷 期：1997年第7卷第1期
页 面：47-51页
核心收录：
学科分类：0806[工学-冶金工程] 08[工学] 0818[工学-地质资源与地质工程] 0815[工学-水利工程] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0813[工学-建筑学] 0703[理学-化学] 0814[工学-土木工程] 0702[理学-物理学]
主 题：SOI(silicon on insulator) localized recrystallization crystallographic orientations characters defects TEM
摘 要：ＴＥＭＳＴＵＤＹＯＮＬＯＣＡＬＩＺＥＤＲＥＣＲＹＳＴＡＬＬＩＺＡＴＩＯＮＳＯＩ①ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ，ＳｈａｏＢｅｉｌｉｎｇ，ＬｉＹｏｎｇｈｏｎｇ，ＬｉｕＺｈｅｎｇＧｅｎｅｒａｌＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＭｅｔａｌ...
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