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  • 9 篇 中国华晶电子集团...
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作者

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语言

  • 85 篇 中文
检索条件"机构=中国华晶电子集团公司MOS一厂PCM组"
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排序:
多晶硅/二氧化硅界面的俄歇谱分析
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固体电子学研究与进展 1996年 第3期16卷 225-232页
作者: 赵杰 张安康 魏同立 陈明华 邵建新 成巨龙 东南大学微电子中心 中国华晶电子集团公司
利用扫描俄歇微探针对多晶硅/二氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/二氧化硅界面不是突变的,而存在着个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论,分析了该过渡区产生的原因,并利用"幸运载流子"模型,定量分析该过渡区对MOS结构热载... 详细信息
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3μmSi栅Cmos产品pcm测试方法分析及测试程序开发
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电子技术 1996年 第1期24卷 57-70页
作者: 桑莉莎 雷淼 中国华晶电子集团公司mos一厂pcm组 无锡214061
本文介绍了种分布在划片槽内的pcm结构的测试方法。使用美国Keithley公司的S425参数测试系统,以3μmSi栅Cmos产品为研究对象,建立了套全新的pcm测试方法并开发成功了完整的测试程序。阐述了在半导体mos生产线监控中的应用前景及... 详细信息
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1/f噪声源及mos器件中的1/f噪声
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电子器件 1996年 第2期19卷 67-76页
作者: 文俊 陈良栋 张安康 郑茳 中国华晶电子集团公司 东南大学
1/f噪声,由于其反映了器件的质量、可靠性等参数,其研究越来越为人们所重视。本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:载流子数涨落和迁移率涨落模型,最后将研究MOS晶体管中1/f噪声的现象。在n管中,较... 详细信息
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集成电路中栅介质膜的C-V测试误差分析及其修正模型
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半导体技术 1994年 第1期10卷 37-45页
作者: 陈永珍 中国华晶电子集团公司
通过具有各种串联电路的MOS电容的分析测试表明:串联电阻引起MOSC-V特性畸变、失真,并与介质膜电容大小有关;串联电容使MOSC-V特性严重不稳定;而当存在电容和电阻并联的串联电路时,即使串联电路中的电阻高达1kΩ... 详细信息
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亚微米ASIC正向设计中的时钟考虑
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半导体技术 2000年 第2期25卷 32-34页
作者: 居水荣 中国华晶电子集团公司mos设计所 无锡214061
介绍了亚微米 ASIC正向设计中时钟网络的建立原则 ,对于时钟网络在版图中的实现作了特殊考虑 ,给出了这些设计方法应用在几块实际 ASIC中的效果。
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mos集成电路电过应力损伤模式和机理分析
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半导体技术 1994年 第2期10卷 51-54页
作者: 吴建忠 中国华晶电子集团公司
电过应力是造成MOS集成电路损伤的主要原因,本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力的损伤模式和机理。
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耕耘在微细硅田野 搏击于战略大市场──华晶公司的现状与发展思路
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半导体技术 1995年 第5期11卷 9-12页
作者: 苏广平 中国华晶电子集团公司
耕耘在微细硅田野 搏击于战略大市场──华晶公司的现状与发展思路中国华晶电子集团公司,总经理苏广平中国华晶电子集团公司是我国微电子行业的骨干企业,由电子部第二十四研究所无锡分所和742实施科研生产体化成。主要从事... 详细信息
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A540测试系统内部基准的检定及校准
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电子技术 1995年 第5期23卷 28-30,38页
作者: 王庆 张芷苓 中国华晶电子集团公司技术支援中心 无锡214061 中国华晶电子集团公司mos
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等离子过程引起的Si-SiO_2结构损伤评估
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半导体技术 1994年 第2期10卷 42-45,50页
作者: 马宏 涂继云 中国华晶电子集团公司中央研究所
本文利用C-V测试的方法,研究了MOS工艺中等离子过程对不同栅材料的Si-SiO_2结构的影响,探讨了等离子损伤的形成机理,并就不同的退火条件进行评估。
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CIM技术实用化
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电子技术 1998年 第1期26卷 46-51页
作者: 张立 张弛 中国华晶电子集团公司mos 无锡214061
本文论述了在大规模集成电路生产中引进先进的计算机网络系统的优势及必然性,并介绍了如何根据自身条件优化系统,使之满足现有生产。
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