1／f噪声源及MOS器件中的1／f噪声
1/ f Noise Sources and 1/ f Noise in MOSFET作者机构：中国华晶电子集团公司 东南大学
出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)
年 卷 期：1996年第19卷第2期
页 面：67-76页
核心收录：
学科分类：11[军事学] 0810[工学-信息与通信工程] 1105[军事学-军队指挥学] 08[工学] 081002[工学-信号与信息处理] 110503[军事学-军事通信学]
摘 要：１／ｆ噪声，由于其反映了器件的质量、可靠性等参数，其研究越来越为人们所重视。本文首先较为系统地介绍了１／ｆ噪声源两种较为成熟的理论：载流子数涨落和迁移率涨落模型，最后将研究ＭＯＳ晶体管中１／ｆ噪声的现象。在ｎ管中，较为成功地用△Ｎ模型；而在ＰＭＯＳ晶体管中。
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