MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析
作者机构：中国华晶电子集团公司
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：1994年第10卷第2期
页 面：51-54页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。
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