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检索条件"机构=东南大学射频和光电集成电路研究所"
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2.5Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证
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东南大学学报(自然科学版) 2007年 第3期37卷 364-367页
作者: 蔡水成 王志功 朱恩 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路... 详细信息
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新的高镜像抑制比DAB接收机射频前端架构的研究
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高技术通讯 2011年 第9期21卷 974-978页
作者: 徐建 王志功 牛小康 江汉 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
提出一种新的适用于数字音频广播(DAB)的接收机射频前端架构,并对其镜像抑制比(IRR)性能做了研究。它采用双正交直接下变频一上变频的镜像抑制结构,其中第一级下变频采用双正交直接变频,第二级上变频到2.048MHz中频。直接下变... 详细信息
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24 Gbit/s 0.2μm PHEMT复接器
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东南大学学报(自然科学版) 2004年 第3期34卷 289-292页
作者: 杨守军 王志功 朱恩 冯军 熊明珍 夏春晓 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
本文利用Philips公司OMMIC 0 2 μmGaAsPHEMT工艺 ,设计出 2 4Gbit/s的复接器 .应用源极耦合FET逻辑 (SCFL) ,使逻辑电路能够在 2 4Gbit/s速率上正常工作 .时钟采用二倍频方案 ,解决了多级复接中的高速时钟问题 .改进异或门拓扑结构实... 详细信息
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基于Volterra级数分析的半导体激光器非线性模型
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东南大学学报(自然科学版) 2010年 第2期40卷 253-257页
作者: 田学农 王志功 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
根据非线性系统Volterra级数分析理论建立了半导体激光器的非线性模型.半导体激光器由本征激光器与寄生网络级联而成.本征激光器的非线性传递函数利用谐波输入法从速率方程得到,而寄生网络的非线性传递函数由影响其非线性的主要因素决定... 详细信息
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10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计
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高技术通讯 2010年 第7期20卷 750-753页
作者: 陈准 冯军 王远卓 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放... 详细信息
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10Gbit/s0.18μmCMOS1∶4分接集成电路
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东南大学学报(自然科学版) 2004年 第4期34卷 426-429页
作者: 沈桢 朱恩 赵文虎 王志功 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
研究了万兆以太网接收芯片结构 ,并在此基础上设计、流片和测试了高速 1∶4分接芯片 ,采用 0 .1 8μmCMOS工艺设计的1∶4分接电路 ,实现了满足 1 0GBASE R的 1 0 .31 2 5Gbit/s数据的 1∶4串 /并转换 ,芯片面积 1 1 0 0 μm× 80 0 μm ... 详细信息
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X波段宽带单片低噪声放大器
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固体电子学研究与进展 2005年 第2期25卷 211-214页
作者: 李芹 王志功 熊明珍 夏春晓 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9~14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9~14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在... 详细信息
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0.6μm CMOS分布式放大器设计
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固体电子学研究与进展 2007年 第1期27卷 58-62页
作者: 陈勖 王志功 李伟 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
采用了国内0.6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构,单元电路采用管联(cascode)结构以提高隔离度。在输人输出端50Ω匹配情况下,测试得到的频带宽度为0.1~4.0GHz,增益为5.0±1.0dB,... 详细信息
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0.35μm SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器分析与设计
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固体电子学研究与进展 2008年 第1期28卷 129-132,157页
作者: 郭雪锋 王志功 李智群 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器。采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好。测量结果表明,在3.3V电源电压下,压控振荡器的频率范围覆盖340~400MHz,10kHz频偏处相位噪声为-91dBc/Hz,输出功率-3dB... 详细信息
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0.2μmGaAs PHEMT3.1~10.6GHz宽带低噪声放大器设计
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固体电子学研究与进展 2007年 第1期27卷 32-36页
作者: 华明清 王志功 丁敬峰 东南大学射频光电集成电路研究所 南京210096
采用OMMIC公司提供的0.2μmGaAsPHEMT工艺(FT=60GHz)设计并实现了一种适用于宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。在3.1~10.6GHz的频带内测试结果如下:最高增益为13dB;增益波动〈2dB;输入回波损耗S11〈-11dB;输出回波损... 详细信息
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