10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计

作     者：陈准 冯军 王远卓 Chen Zhun;Feng Jun;Wang Yuanzhuo

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2010年第20卷第7期

页      面：750-753页

核心收录：

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：863计划(2006AA01Z284)资助项目 

主　　题：光纤通信 前置放大器 限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.35μm SiGe BiCMOS工艺 共基极 

摘      要：采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集-共发-共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级Cherry-Hooper结构。芯片面积仅为0.47mm^2。测试结果表明,在3.3V的供电电压下,总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时,可以得到清晰对称的眼图。