X波段宽带单片低噪声放大器
Design of X-band Broadband Low Noise Amplifier MMIC作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2005年第25卷第2期
页 面：211-214页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗-10dB,输出回波损耗-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。
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