检索结果-南通市图书馆

基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器

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红外与毫米波学报 2024年第2期43卷 187-191页

作者：李泽坤陈继新郑司斗洪伟东南大学毫米波全国重点实验室江苏南京210096 紫金山实验室江苏南京211111

本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 详细信息

本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。

关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管低噪声放大器宽带 W波段

一个2.4 GHz集成的SP3T射频开关和低噪声放大器

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湖南大学学报（自然科学版） 2024年第6期51卷 168-177页

作者：马凯学王德建傅海鹏王科平天津大学微电子学院天津300072

基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射... 详细信息

基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射频开关的线性度.低噪声放大器采用了负反馈技术和导数叠加技术提高线性度,利用导数叠加技术减小低噪声放大器的三阶非线性,进一步提高了负反馈低噪声放大器的线性度.低噪声放大器与射频开关集成,并带有Bypass衰减通路.测试结果表明,射频开关的发射支路实现了0.95 dB的插入损耗和34 dBm的输入1 dB压缩点,蓝牙支路具有1.68 dB的插入损耗和30 dBm的输入1 dB压缩点.在2 V供电下,接收支路在高增益模式下具有15.8 dB的增益,1.7 dB的噪声系数和7.6 dBm的输入三阶交调点,功耗28.6 mW,在Bypass模式下具有7.2 dB的插入损耗和22 dBm的输入三阶交调点.

关键词：无线局域网低噪声放大器射频开关线性度

0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2024年第2期44卷 125-130页

作者：郝翔王维波闫俊达袁巍韩方彬陶洪琪南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提... 详细信息

基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提高高频增益,扩展带宽,改善噪声。常温在片测试结果表明,在3.3 V单电源供电下,0.6~18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB,小信号增益约15 dB,增益平坦度小于±0.9 dB,输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm,功耗72.6 mW,芯片面积1.5 mm×1.2 mm。

关键词：超宽带低噪声放大器共源共栅单片微波集成电路砷化镓

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双频段滤波天线与低噪声放大器一体化设计

电子元件与材料 2024年第5期43卷 597-602页

作者：伊浩然华昌洲俞意王健宁波大学信息科学与工程学院浙江宁波315211 浙江省国防科技工业促进中心浙江杭州310005

为了满足未来无线通信系统对小型化、多频段、低损耗的需求,基于ATF-551M4晶体管,提出了一种新型的双频段滤波天线与低噪声放大器(LNA)一体化设计,并将其应用到WiFi6频段。通过在天线上引入寄生结构,使其具有更好的双频带通滤波性能。... 详细信息

为了满足未来无线通信系统对小型化、多频段、低损耗的需求,基于ATF-551M4晶体管,提出了一种新型的双频段滤波天线与低噪声放大器(LNA)一体化设计,并将其应用到WiFi6频段。通过在天线上引入寄生结构,使其具有更好的双频带通滤波性能。并在两个工作频段上分别设计出与LNA输入相匹配的阻抗,实现了无需阻抗匹配网络的滤波天线与电路直接连接。该设计可以有效地降低传统射频接收机前端中阻抗匹配网络带来的损耗,改善接收机噪声系数,提高接收机灵敏度,同时实现接收机的小型化多功能集成。实测结果显示,该一体化天线在WiFi6频段内|S_(11)|dB,低频段增益>20.9 dB,高频段增益>14.1 dB,具有比较显著的双频带通滤波特性。与传统级联设计相比,一体化天线不但具有更小的尺寸,而且噪声系数在工作频段内也显著减小。噪声系数最大降低了约0.5 dB,对应的灵敏度约提高17.5%。

关键词：双频段一体化低噪声放大器滤波天线

一种5.0～9.3 GHz低功耗宽带低噪声放大器设计

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微电子学 2024年第2期54卷 189-195页

作者：韦善于韦家锐岳宏卫桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室

针对Wi-Fi 6、Wi-Fi 6E（5 GHz、6 GHz）的低功耗、宽带宽等无线局域网（WLAN）设备需求，基于65 nm CMOS工艺设计了一款两级低功耗宽带低噪声放大器（LNA）。电路第一级采用结合互补共源电路的共源共栅结构，通过电感峰化技术和负反馈... 详细信息

针对Wi-Fi 6、Wi-Fi 6E（5 GHz、6 GHz）的低功耗、宽带宽等无线局域网（WLAN）设备需求，基于65 nm CMOS工艺设计了一款两级低功耗宽带低噪声放大器（LNA）。电路第一级采用结合互补共源电路的共源共栅结构，通过电感峰化技术和负反馈技术的运用，提高输入跨导，降低噪声，并拓展带宽和提高增益平坦度。第二级在共漏极缓冲器基础上引入辅助放大结构、电感峰化技术，实现抵消第一级共源管的噪声并拓展带宽。电路采用提出的前向衬底自偏置技术，以降低电路对电源电压的依赖，整体电路实现两路电流复用，从而有效降低了功耗。仿真结果表明，在5～9.3 GHz频带内LNA的S21为17.8±0.1 dB,S11小于-9 dB、S22小于-11.9 dB,噪声系数小于1.34 dB。在0.8 V电压下整体电路功耗为5.3 mW。

关键词：前向衬底自偏置低噪声放大器 802.11ax Wi-Fi 6(E)

一种用于5G终端增益可调的低噪声放大器设计

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微电子学 2024年第1期54卷 45-53页

作者：彭欢庆王金婵赵芃张金灿樊云航张立文河南科技大学信息工程学院河南洛阳471023

针对无线接收机需要对不同强度信号进行不同程度放大的要求,采用WIN公司的0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一款工作频段为5G通信频段3~5 GHz的可变增益低噪声放大器。该放大器包含两级放大电路,均采用自偏置结构,降低了端口数量,通过调节... 详细信息

针对无线接收机需要对不同强度信号进行不同程度放大的要求,采用WIN公司的0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一款工作频段为5G通信频段3~5 GHz的可变增益低噪声放大器。该放大器包含两级放大电路,均采用自偏置结构,降低了端口数量,通过调节第二级放大电路的控制电压在0至5 V之间变化,可实现系统增益的连续可调范围约39.3 dB(-3.5~35.8 dB)。放大器版图尺寸为0.94×1.24 mm^(2)。控制电压为0 V时,系统噪声为0.53±0.01 dB,增益为35.5±0.35 dB,中心频点4 GHz处,OP1dB为13.2 dBm, OIP3达到32.7 dBm,表明系统具有良好的线性度。

关键词：低噪声放大器可变增益自偏置

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一种新型噪声消除宽带低噪声放大器

微电子学 2024年第2期54卷 196-200页

作者：蓝剑逸段吉海李冀桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室

噪声消除技术是设计低噪声放大器（LNA）时常用的技术之一，而如何解决LNA噪声与功耗的矛盾始终是设计的难点。文章提出一种新型噪声消除结构，通过主辅支路之间添加反馈回路的方式，在不增加功耗的情况下，实现了消除主辅支路噪声的目... 详细信息

噪声消除技术是设计低噪声放大器（LNA）时常用的技术之一，而如何解决LNA噪声与功耗的矛盾始终是设计的难点。文章提出一种新型噪声消除结构，通过主辅支路之间添加反馈回路的方式，在不增加功耗的情况下，实现了消除主辅支路噪声的目的。基于180 nm CMOS工艺，设计了一款应用该噪声消除结构的宽带低噪声放大器。仿真结果显示，该LNA的带宽为0.40～2.36 GHz,S11与S22均小于-10 dB,S12小于-30 dB,最大S21为14.5 dB,噪声系数为2.20～2.34 dB,功耗仅为9 mW。

关键词：噪声消除低噪声放大器反馈辅助支路

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低噪声放大器的注入损伤效应研究

安全与电磁兼容 2024年第3期 49-56,62页

作者：陈政宇李峙孙美秋崔强项道才中国电子技术标准化研究院

低噪声放大器是射频前端电路中非常敏感的部分,易受到强电磁环境辐射经天线耦合所产生大电压/电流的影响,出现性能降级甚至损伤击穿等问题。文章以典型低噪声放大器作为研究对象,分别采用连续波和脉冲波信号对低噪声放大器开展注入损伤... 详细信息

低噪声放大器是射频前端电路中非常敏感的部分,易受到强电磁环境辐射经天线耦合所产生大电压/电流的影响,出现性能降级甚至损伤击穿等问题。文章以典型低噪声放大器作为研究对象,分别采用连续波和脉冲波信号对低噪声放大器开展注入损伤试验,以其增益作为主要参考参数,研究了低噪声放大器的注入损伤效应。分析了注入信号中心频率、脉冲重复频率和脉冲宽度等参数对低噪声放大器的损伤阈值的影响,旨在为射频电路器件级的电磁安全防护提供参考。

关键词：低噪声放大器注入损伤效应损伤阈值

10~20GHz宽带低噪声放大器的设计和实现

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集成电路应用 2024年第1期41卷 11-13页

作者：李鑫肖曼琳杜鑫威肖帅上海工程技术大学城市轨道交通学院上海201620

阐述一款采用0.25 GaAs pHEMT工艺、基于MMIC技术的10~20GHz宽带低噪声放大器设计。联合仿真结果表明,带内增益高达28dB,噪声系数低于1.9dB,输入和输出回波损耗均低于-15dB。该芯片具有宽带宽、集成度高和功耗低的特点。

关键词：电路设计低噪声放大器 MMIC 电流复用 GaAs