2.5Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证

作     者：蔡水成 王志功 朱恩 Cai Shuicheng;Wang Zhigong;Zhu En

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2007年第37卷第3期

页      面：364-367页

核心收录：

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2001AA312060) 

主　　题：PHEMT 跨阻放大器 噪声 

摘      要：根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路的噪声电压,得出了共源跨阻前置放大器等效输入噪声电流密度的理论公式.实现了芯片制作,并且对芯片进行了噪声参数的测量,测量结果、仿真结果和理论分析结论在6GHz的频率范围内基本符合.