检索结果-南通市图书馆

A 0.75 dB NF LNA in GaAs phemt utilizing gate–drain capacitance and gradual inductor

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Journal of Semiconductors 2015年第7期36卷 108-113页

作者：王硕郑新年杨浩张海英 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences

A two-stage monolithic microwave integrated circuit （MMIC） low noise amplifier （LNA） fabricated in 0.5 μm GaAs phemt is presented. The Miller effect introduced by the parasitic gate-drain capacitance is utilized to decrease the value of the input inductor. Additionally, the input on-chip inductor is a novel high Q gradual structure. The noise figure is reduced with these two methods. With good input and output matching, the LNA achieves a noise figure of 0.75 dB and a small signal gain of 32.7 dB over 698-806 MHz. The input 1 dB compression point is -21.8 dBm and the input third order interception point is -10 dBm.

关键词： LNA phemt Miller effect gradual inductor

A phemt Based Wideband LNA for Wireless Applications

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China Communications 2015年第10期12卷 108-116页

作者： Muhammad Saad Khan ZHANG Hongxin HE Pengfei Sulman Shahzad Rahat Ullah School of Electronic Engineering Beijing University of Posts and Telecommunications(BUPT) Electrical Engineering Department University College of Engineering & TechnologyBahauddin Zakariya University Institute of Science and Technology for Opto-electronic Information Yantai University State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications Beijing University of Posts and Telecommunications

This work is about the development of a super low noise amplifier with minimum power consumption and high gain for several wireless applications.The amplifier operates at frequency bands of 0.9-2.4 GHz and can be used in many applications like Wireless local area network(WLAN),WiFi,Bluetooth,ZigBee and Global System for mobile communications(GSM).This new design can be employed for the IEEE 802.15.4 standard in industrial,scientific and medical(ISM) Band.The enhancement mode pseudomorphic high electron mobility transistor phemt is used here due to its high linearity,better performance and less noisy operation.The common source inductive degeneration method is employed here to enhance the gain of amplifier.The amplifier produces a gain of more than 17 dB and noise figure of about 0.5 dB.The lower values of S11 and S22 reflect the accuracy of impedance matching network placed at the input and output sides of amplifier.Agilent Advance Design System(ADS) is used for the design and simulation purpose.Further the layout of design is developed on the FR4 substrate.

关键词：宽带低噪声放大器 phemt 无线应用赝配高电子迁移率晶体管全球移动通信系统设计系统 ZigBee 阻抗匹配网络

GaAs phemt multi-band/multi-mode SP9T switch for quad-band GSM and UMTS handsets applications

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Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics) 2011年第4期12卷 317-322页

作者： Xiao-ying WANG Wen-ting GUO Yang-yang PENG Wen-quan SUI Zhejiang California International Nanosystems Institute (ZCNI) Zhejiang University Hangzhou 310029 China

A multi-band/multi-mode single-pole nine-throw (SP9T) switch for GSM/UMTS (global system for mobile communications/universal mobile telecommunication system) systems is demonstrated.The switch consists of a GaAs 0.5μm pseudomorphic high-electron mobility transistor (phemt) radio frequency (RF) switches module and Si complementary metal-oxide-semiconductor (COMS) digital module with an encoder and a DC boost circuit.High isolation and high linearity are achieved by a series-shunt switch structure and the DC boost circuit,respectively.The switch shows a measured insertion loss of 0.4 dB at 0.8 GHz for GSM transmit arms,0.7 dB at 0.9 GHz and 0.9 dB at 1.8 GHz for GSM receive arms,and 0.6 dB at 1.8 GHz for UMTS arms.The switch introduces 2nd and 3rd harmonic suppression levels less than 64 dBc at 37 dBm input power.Isolations between transmit and receive terminals are more than 48 dB when one transmit arm is activated.The size of the RF switches module is 1.5 mm×1.1 mm,and the size of the digital module is 1.3 mm×0.63 mm with gold bonding wires connecting these two modules.

关键词： GSM UMTS Single-pole nine-throw (SP9T) phemt Encoder DC boost

Theoretical and Experimental Optimization of InGaAs Channels in GaAs phemt Structure

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Chinese Physics Letters 2015年第6期32卷 173-175页

作者：高汉超尹志军 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute

The ground-state energy level （GEL） and electron distribution of GaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistors （phemts） are analyzed by a self-consistent solution to the Schrodinger-Poisson equations. The indium composition and thickness of the InGaAs channel are optimized according to the GEL position. The GEL position is not in direct proportion to 1/d^2 （d is the channel thickness） by considering the influence of electron distribution in the InGaAs channel. Indium composition 0.22 and channel thickness 9 nm are obtained by considering the mismatch between InGaAs and AlGaAs. Several phemt samples are grown according to the theoretical results and mobility 6300 cm^2 /V.s is achieved.

关键词： phemt Theoretical and Experimental Optimization of InGaAs Channels in GaAs phemt Structure

0.1 um GaAs phemt工艺模型及其PDK技术研究

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0.1 um GaAs pHEMT工艺模型及其PDK技术研究

作者：陈鑫涛杭州电子科技大学

学位级别：硕士

砷化镓phemt器件因其高电子迁移率、高电子浓度、低噪声等特性而受到广泛关注,已被应用于雷达、通信以及自动控制等领域。多年来学术界和企业界一直致力于改良phemt器件结构和生产工艺,如今,phemt器件在工艺上已经能够做到0.1 μm,应用... 详细信息

砷化镓phemt器件因其高电子迁移率、高电子浓度、低噪声等特性而受到广泛关注,已被应用于雷达、通信以及自动控制等领域。多年来学术界和企业界一直致力于改良phemt器件结构和生产工艺,如今,phemt器件在工艺上已经能够做到0.1 μm,应用在W波段(75～110GHz)。在应用改良应用的过程中,人们发现随着工艺集成度提高,传统经验电路设计模式已无法满足设计需求,现今的电路设计必须先通过EDA模拟环境,找存在的不足,修正后再去生产。因此,高质量的PDK结合EDA软件已成为设计者缩短产品研制周期的必备工具。在EDA软件全球市场中,新思科技、楷登科技、是德科技三家公司占据了 80%的份额,而国内只有华大九天一家公司凭借全流程占据了极少量份额,这为我国半导体领域带来了重大的安全隐患。为了维护国防信息安全,急需开发出国产EDA工具下桥接生产制造和电路设计的工艺设计包(PDK),配合高精度PDK器件库,构建国产EDA生态。本文阐述了国产射频微波软件AetherMW PDK开发技术,研究了频率达110G的PDK模型库建模技术,提出了利用全波电磁场仿真对晶体管进行尺寸和应用频率拓展,最后论述了 PDK质量验证方案。本文在前人的基础上,为建立高频段的GaAs phemt工艺PDK并完成质量验证,本文做了以下工作和创新:(1)介绍了 0.1 μm GaAs phemt工艺结构和晶体管特性,详细说明了PDK各组成部分在电路设计中的作用以及PBQ开发管理AetherMW PDK的方法,最后借助该工具在开源iPDK标准下,成功开发了100 μm GaAs衬底上2 μm InGaP HBT 工艺 PDK、100 μm GaAs 衬底上 0.25 μm GaAs phemt 工艺 PDK、75 μm GaAs 衬底上 0.25 μm GaAs phemt 工艺 PDK、100 μm GaAs 衬底上0.15 μm GaAs phemt 工艺 PDK,100 SiC 衬底上 0.25 μm GaN HEMT 工艺PDK,50 μm GaAs 衬底上 0.1 μm GaAs phemt 工艺 PDK,本文选取 0.1 μm GaAs phemt工艺PDK展开叙述。(2)结合器件版图结构和制造工艺,对W波段PDK器件库中的器件进行了建模研究。在模型参数提取过程中,改进了等效电路,引入了并联的电阻和电感表征高频趋肤效应。同时为解决直接提取法参数变动对模型精度影响大的问题,提出引入误差函数,利用算法完成对模型参数的优化。(3)针对phemt晶体管的寄生效应复杂测试困难的问题,提出利用PDK建立HFSS三维结构,并将晶体管三维结构拆解分块以提取各部分寄生,最后证明了该方法可以用于器件缩放和推广到更高频率代替测试数据。(4)PDK的严谨性、规范性是衡量一份PDK质量高低的关键因素。面对目前人工创建案例对PDK进行质量验证,耗时耗力且难保证验证的完备性的问题。提出利用脚本创建配置文件结合质量验证工具,完成对PDK的多方面质量验证。最终利用通过质量验证的PDK进行电路设计,证明了本课题PDK器件库、PDK模型文件与EDA电路设计工具三者的适配性良好,可用于射频微波电路的开发。

关键词： phemt 全波电磁仿真模型 PDK技术模型优化

AlGaAs/InGaAs phemt栅电流参数退化模型研究

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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物理学报 2013年第15期62卷 389-394页

作者：万宁郭春生张燕峰熊聪马卫东石磊李睿冯士维北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124

为定量研究在phemt栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系,建立了phemt栅电流参数退化模型.利用在线实验的方法获得phemt电学参数的退化规律,分... 详细信息

为定量研究在phemt栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系,建立了phemt栅电流参数退化模型.利用在线实验的方法获得phemt电学参数的退化规律,分析参数随时间的退化规律,得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理,并基于栅电流参数退化模型,得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例.

关键词： phemt 栅电流肖特基接触退化模型

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宽带电流模形式phemt前置放大器设计

东南大学学报（自然科学版） 2005年第6期35卷 872-875页

作者：周忻朱恩孙玲王志功东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

设计并实现了基于0.2μm phemt工艺的宽带电流模形式前置放大器.前置放大器将光电二极管产生的电流信号放大并转换为差分电压信号.电路为共栅结构,输入电阻小,减小了光检测器寄生电容对电路带宽的影响.设计时采用了电容峰化技术,可获得... 详细信息

设计并实现了基于0.2μm phemt工艺的宽带电流模形式前置放大器.前置放大器将光电二极管产生的电流信号放大并转换为差分电压信号.电路为共栅结构,输入电阻小,减小了光检测器寄生电容对电路带宽的影响.设计时采用了电容峰化技术,可获得比普通共栅结构更宽的带宽.后仿真结果为,在单电源5V,输出负载50Ω的条件下,该前置放大器的跨阻增益为1.73kΩ,带宽可达到10.6GHz,同时具有低噪声和较宽的线性范围,芯片面积为607μm×476μm.测试结果表明,此前置放大器可以很好地工作在10Gbit/s速率上.

关键词： phemt 电流模跨阻噪声

2.5Gbit/s phemt前置放大器噪声分析与验证

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东南大学学报（自然科学版） 2007年第3期37卷 364-367页

作者：蔡水成王志功朱恩东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs phemt器件参数模型和噪声模型,设计了2.5Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据phemt晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路... 详细信息

根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs phemt器件参数模型和噪声模型,设计了2.5Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据phemt晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路的噪声电压,得出了共源跨阻前置放大器等效输入噪声电流密度的理论公式.实现了芯片制作,并且对芯片进行了噪声参数的测量,测量结果、仿真结果和理论分析结论在6GHz的频率范围内基本符合.

关键词： phemt 跨阻放大器噪声

12 Gb/s GaAs phemt跨阻抗前置放大器

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电子学报 2006年第6期34卷 1156-1158页

作者：焦世龙冯暐陈堂胜范超李拂晓叶玉堂电子科技大学光电信息学院四川成都610054 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016

采用0.5μm GaAs phemt工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等效输... 详细信息

采用0.5μm GaAs phemt工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz;输入12Gb/s NRI伪随机序列时,放大器输出眼图清晰,眼开良好.

关键词： phemt 跨阻抗前置放大器