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忆阻逾渗导电模型中的初态影响

物理学报 2013年第9期62卷 351-356页

作者：李智炜刘海军徐欣国防科学与技术大学电子科学与工程学院长沙410073

逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一,但现有模型缺乏对初态设定的讨论.本文对逾渗网格模型进行了简化,并基于此,通过电压激励步进的方式,研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响,分析了形成通... 详细信息

逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一,但现有模型缺乏对初态设定的讨论.本文对逾渗网格模型进行了简化,并基于此,通过电压激励步进的方式,研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响,分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义,验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态;而不同初态条件下,忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的"树形"结构,进而影响着其阻值的分布.研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理,为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用.

关键词：忆阻器开关元件逾渗模型初态分析

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上覆岩层裂隙演化逾渗模型研究

中国矿业大学学报 2013年第6期42卷 917-922,940页

作者：薛东杰周宏伟王超圣郜海莲中国矿业大学(北京)煤炭资源与安全开采国家重点实验室北京100083 中国矿业大学(北京)力学与建筑工程学院北京100083

基于裂隙聚团演化过程表现出的临界特征,利用逾渗理论,建立上覆岩层的逾渗模型,并分别分析沿走向和倾向条件下采动裂隙的逾渗特性.根据相似模拟试验结果,分析采动裂隙演化逾渗特性及周期来压之间的关系.结果表明:所建逾渗模型中逾渗概... 详细信息

基于裂隙聚团演化过程表现出的临界特征,利用逾渗理论,建立上覆岩层的逾渗模型,并分别分析沿走向和倾向条件下采动裂隙的逾渗特性.根据相似模拟试验结果,分析采动裂隙演化逾渗特性及周期来压之间的关系.结果表明:所建逾渗模型中逾渗概率、裂隙率、逾渗团大小、竖向破断裂隙概率、离层裂隙概率可以较为完备地定量描述裂隙特征,为建立裂隙与渗透率等相关参量的定量关系提供合适的数学载体.

关键词：逾渗模型裂隙演化渗透率数学载体

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递归逾渗模型的蒙特卡洛研究

递归逾渗模型的蒙特卡洛研究

作者：刘萱文中国科学技术大学

学位级别：硕士

相变是自然界中常见的现象,也是统计物理领域的重要组成部分。相变在各个科学分支都广泛存在,对相变的研究,不仅在物理学有重大意义,对材料科学、社会学、金融学、热力工程、冶金工程、化学工业和气象学等领域的发展都起着巨大的推动作... 详细信息

相变是自然界中常见的现象,也是统计物理领域的重要组成部分。相变在各个科学分支都广泛存在,对相变的研究,不仅在物理学有重大意义,对材料科学、社会学、金融学、热力工程、冶金工程、化学工业和气象学等领域的发展都起着巨大的推动作用。相变涉及到多体相互作用,随着研究对象包含的粒子数的增加,其复杂度程指数增长,普通的方法难以实现高精度的研究。为此,人们引入蒙特卡洛方法,借助现代计算机技术,对相变进行数值研究。本文利用蒙特卡洛方法,对相变问题中的一个经典模型——逾渗模型进行创新性研究。本文首先介绍了相变和蒙特卡洛方法的背景知识,然后系统介绍了逾渗模型,接下来引入了本项目研究的递归逾渗模型。我们利用蒙特卡洛方法确定了前5轮逾渗操作的临界点,给出每轮的重要临界指数,发现这些临界指数不属于任何现有的普适类,也不能通过任何现有的理论得到。最后,本文概括了作者在读期间发表的其他工作。

关键词：相变蒙特卡洛方法逾渗模型临界指数

富铝尖晶石-碳复合材料渣渗透及导电的逾渗模型

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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耐火材料 2014年第4期48卷 245-248页

作者：罗星源孙加林洪彦若北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

为了探讨含碳耐火材料的导电性和渣渗透与组成的关系,采用w(C)=98%的石墨、纯度为99%(w)的富铝尖晶石为主要原料,以石墨添加质量分数分别为5%、10%、15%、20%、40%、60%的富铝尖晶石-碳试样研究了其导电性与组成的关系,以石墨添加质量... 详细信息

为了探讨含碳耐火材料的导电性和渣渗透与组成的关系,采用w(C)=98%的石墨、纯度为99%(w)的富铝尖晶石为主要原料,以石墨添加质量分数分别为5%、10%、15%、20%、40%、60%的富铝尖晶石-碳试样研究了其导电性与组成的关系,以石墨添加质量分数分别为10%、20%、30%、35%、40%、60%、80%、100%的试样研究了其抗渣性与组成的关系。结果表明,富铝尖晶石-石墨试样的导电性及渣渗透性与组成的关系都符合逾渗模型,其导电性的逾渗阈值为14.3%(石墨的体积分数),而抗渣性的逾渗阈值为56.4%(尖晶石+孔隙的体积分数),且在逾渗阈值附近,材料的导电性对成型压力较为敏感。

关键词：逾渗模型石墨-尖晶石导电性渣渗透

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逾渗模型与复杂网络

现代物理知识 2015年第3期27卷 32-37页

作者：李明汪秉宏中国科学技术大学近代物理系

一、逾渗模型将一个疏松多孔的材料放入水中,水能否渗入材料中呢?1957年,布鲁德本特(Broadbent)和哈默斯利(Hammersley)给出了一个简单的模型用以讨论这个问题,即所谓的逾渗模型(percolation model)。如图1所示,他们的模型建立在一个二... 详细信息

一、逾渗模型将一个疏松多孔的材料放入水中,水能否渗入材料中呢?1957年,布鲁德本特(Broadbent)和哈默斯利(Hammersley)给出了一个简单的模型用以讨论这个问题,即所谓的逾渗模型(percolation model)。如图1所示,他们的模型建立在一个二维的方格子上。模型中的节点表示材料中的空隙。为了模拟材料中空隙的连通,假设方格子中相邻节点(每个节点有四个邻居)以概率p(0模型中,一对相邻节点相连称为占据相应的边。如图1所示,如果只标出占据边,原系统就被分为若干个由占据边连接

关键词：逾渗模型复杂网络鲁棒性疾病传播概率经典无标度网络节点度键逾渗

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同方期刊数据库

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裂隙岩体逾渗模型中渗透概率递推矩阵

岩石力学与工程学报 2007年第2期26卷 262-267页

作者：朱大勇范鹏贤郭志昆钱七虎合肥工业大学土木建筑工程学院安徽合肥290003 解放军理工大学江苏南京210007

用二维座逾渗模型描述裂隙岩体的渗透问题,将岩体划分为众多单元网格,每个单元赋与一定的渗透概率,提出一种解析方法计算裂隙岩体的渗透概率。建立多单元网格渗透概率递推矩阵的概念,并根据相邻列单元渗透递推关系,推导出3×n及4×n型... 详细信息

用二维座逾渗模型描述裂隙岩体的渗透问题,将岩体划分为众多单元网格,每个单元赋与一定的渗透概率,提出一种解析方法计算裂隙岩体的渗透概率。建立多单元网格渗透概率递推矩阵的概念,并根据相邻列单元渗透递推关系,推导出3×n及4×n型单元网格的渗透概率递推矩阵;应用渗透概率递推矩阵可以计算任意列数单元网格的渗透概率。基于渗透概率递推矩阵,推导出3×3及4×4型单元网格的渗透概率解析表达式,并应用重整化群方法分别计算出基于2×2,3×3及4×4型基元的临界渗透概率,并与Monte Carlo法结果进行比较,分析重整化群化误差产生的原因。

关键词：岩石力学裂隙岩体逾渗模型重整化群法渗透概率

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逾渗模型在计算材料学中的研究进展

材料科学与工程学报 2004年第1期22卷 123-127页

作者：齐共金张长瑞曹英斌吉洪亮刘希从国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室国防科技大学材料工程与应用化学系湖南长沙410073

逾渗理论是处理强无序和随机几何结构系统的最好理论方法之一 ,它为描述空间随机过程提供了一个明确、清晰、直观的模型 ,广泛应用于相变和临界现象的研究。本文简要介绍了逾渗理论 ,综述了近年来逾渗模型在计算材料学中的应用 ,特别是... 详细信息

逾渗理论是处理强无序和随机几何结构系统的最好理论方法之一 ,它为描述空间随机过程提供了一个明确、清晰、直观的模型 ,广泛应用于相变和临界现象的研究。本文简要介绍了逾渗理论 ,综述了近年来逾渗模型在计算材料学中的应用 ,特别是在脱合金腐蚀、巨磁阻材料、栅介质击穿、导电复合材料等方面的最新研究进展。

关键词：计算材料学逾渗模型脱合金腐蚀巨磁阻材料栅介质击穿导电复合材料

尺度放大时逾渗模型中的油气运移路径变化规律探讨

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石油与天然气地质 2007年第2期28卷 175-180页

作者：周波金之钧罗晓容王毅张发强中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院中国科学院地质与地球物理研究所北京100029

数值模拟获得的油气二次运移路径不受模拟网格大小的影响,但模拟网格的大小却影响侵入相饱和度值的大小。其中,运移网格的宽度和侵入相饱和度呈指数关系,运移网格的长度和侵入相的饱和度无关,运移网格的尺度和侵入相饱和度呈指数关系。... 详细信息

数值模拟获得的油气二次运移路径不受模拟网格大小的影响,但模拟网格的大小却影响侵入相饱和度值的大小。其中,运移网格的宽度和侵入相饱和度呈指数关系,运移网格的长度和侵入相的饱和度无关,运移网格的尺度和侵入相饱和度呈指数关系。这一规则的发现为逾渗理论从微观放大到盆地尺度提供了理论依据。

关键词：数学模拟逾渗模型油气运移尺度放大油气运移路径模拟网格

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栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

物理学报 2003年第8期52卷 2046-2051页

作者：马仲发庄奕琪杜磊包军林李伟华西安电子科技大学微电子研究所西安710071

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累 ,并最终形成电导逾渗通路的结果 .指出在电场作用下 ,氧化层中产生深能级缺陷 ,缺陷形成... 详细信息

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累 ,并最终形成电导逾渗通路的结果 .指出在电场作用下 ,氧化层中产生深能级缺陷 ,缺陷形成定域态 ,定域态的体积与外加电场有关 .随着应力时间的增长 ,氧化层中的缺陷浓度增大 ,定域态之间的距离缩小 .当定域态之间的距离缩小到一个阈值时 ,定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路 ,形成扩展态能级 ,漏电流开始急剧增大 ,氧化层击穿 .

关键词：栅氧化层逾渗模型 MOSFET 击穿物理机制缺陷定域态