忆阻逾渗导电模型中的初态影响
Effects of pristine state on conductive percolation model of memristor作者机构：国防科学与技术大学电子科学与工程学院长沙410073
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2013年第62卷第9期
页 面：351-356页
核心收录：
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:61171017) 国防科学与技术大学硕士研究生创新基金(批准号:S120402)资助的课题~~
摘 要：逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一,但现有模型缺乏对初态设定的讨论.本文对逾渗网格模型进行了简化,并基于此,通过电压激励步进的方式,研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响,分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义,验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态;而不同初态条件下,忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的树形结构,进而影响着其阻值的分布.研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理,为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用.
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