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沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响

发光学报 2013年第8期34卷 1046-1050页

作者：苏晶莫昌文刘玉荣华南理工大学电子与信息学院广东广州510640

用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的... 详细信息

用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。

关键词：沟道宽度氧化锌薄膜晶体管

沟道宽度对MOSFET高功率微波效应的影响

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固体电子学研究与进展 2014年第5期34卷 420-425页

作者：邵立汉夏同生北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191

关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下... 详细信息

关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下对于器件电击穿和热积累的影响。研究结果表明,随着器件宽度的增加,标志着二次击穿开始发生的"快回"电压Vt1会明显降低,因此在HPM注入下,较大宽度的器件将有更多的时间处于击穿区域;同时,高功率微波引起热集聚效应在大沟道宽度器件中将更加显著,其内部的峰值温度大于沟道宽度较小的器件。提出了一种新型的轻掺杂漏极结构,能够改善器件内部沿宽度方向上的热扩散条件,减小器件内部的峰值温度,并可提高器件的Vt1,进而提高器件在HPM下的稳定性。

关键词：高功率微波沟道宽度快回电压热积累轻掺杂漏极

沟道长度和宽度对石墨烯场效应晶体管电荷输运的影响

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Chinese Journal of Chemical Physics 2020年第6期33卷 757-763,I0003页

作者：卡马尔·荷森穆罕默德·瑞希·伊斯兰刘孔孟加拉国库尔纳工程技术大学电力电子工程学院库尔纳中国科学院半导体研究所中科院半导体材料科学重点实验室低维半导体材料与器件北京市重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电工程中心北京100049

本文基于理论的方法研究了沟道长度和宽度对石墨烯场效应晶体管中大信号和小信号参数的影响.在快速饱和及高特征频率条件下,石墨烯场效应晶体管均表现出优异的性能.从传递曲线可以看到,随着沟道长度从440 nm变到20 nm,产生了一个从0.15 ... 详细信息

本文基于理论的方法研究了沟道长度和宽度对石墨烯场效应晶体管中大信号和小信号参数的影响.在快速饱和及高特征频率条件下,石墨烯场效应晶体管均表现出优异的性能.从传递曲线可以看到,随着沟道长度从440 nm变到20 nm,产生了一个从0.15 V到0.35 V的狄拉克点正偏移,同时也揭示了石墨烯的双极特性.而且,由于沟道变宽及漏电流增加,当沟道宽度为2μm和5μm时,相应的最大电流为2.4 mA和6 mA.另外,还在石墨烯场效应晶体管中观察到了几乎对称的电容-电压特性,电容会随着沟道变短而减小,但另一方面电容又可以通过沟道展宽来增加.最后,在沟道长度为20 nm处获得了一个6.4 mS的高跨导,在沟道宽度为5μm处获得的跨导值为4.45 mS,特征频率为3.95 THz.

关键词：石墨烯石墨烯场效应晶体管大信号小信号沟道长度沟道宽度

沟道宽度对有机静电感应三极管工作特性的影响

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哈尔滨理工大学学报 2007年第6期12卷 55-57页

作者：袁巍王东兴哈尔滨理工大学应用科学学院黑龙江哈尔滨150080

对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工... 详细信息

对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工作特性的影响.在恒定栅压和漏压下,宽度的增大会使栅极对鞍部点控制能力减弱,沟道内势垒降低,从而导致工作电流的增大.该结论可为如何获取良好的OSIT输出特性提供依据.

关键词：有机静电感应晶体管有限元法电势分布沟道宽度 Marc

基于范德华铁电异质结的具有亚5nm沟道亚热电子场效应晶体管

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Science Bulletin 2020年第17期65卷 1444-1450,M0003页

作者：王峰刘佳黄文浩程瑞清尹蕾王俊俊 Marshet Getaye Sendeku 张玉詹雪莹单崇新王振兴何军 CAS Center for Excellence in Nanoscience CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical FabricationNational Center for Nanoscience and TechnologyBeijing 100190China School of Physics and Technology Wuhan UniversityWuhan 430072China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049China Henan Key Laboratory of Diamond Optoelectronic Materials and Devices Key Laboratory of Material Physics(Ministry of Education)School of PhysicsZhengzhou UniversityZhengzhou 450052China

本文展示了基于铁电范德华异质结的具有小于5 nm沟道宽度的二维亚热电子场效应晶体管.该器件分别由石墨烯作为电极,二硫化钼作为导电沟道, CuInP2S6作为铁电介电层.研究表明,所制造的长沟道器件在室温下具有3个数量级的开关比,几乎无回... 详细信息

本文展示了基于铁电范德华异质结的具有小于5 nm沟道宽度的二维亚热电子场效应晶体管.该器件分别由石墨烯作为电极,二硫化钼作为导电沟道, CuInP2S6作为铁电介电层.研究表明,所制造的长沟道器件在室温下具有3个数量级的开关比,几乎无回滞,并具有亚热电子的开关特性.此外,本文使用金属碳纳米管作为有效的栅极制备了超短沟道器件.该器件同样表现出亚热电子开关特性,室温下亚阈值摆幅最小可达6.1 mV/dec.

关键词：场效应晶体管开关特性热电子异质结亚阈值摆幅沟道宽度器件开关比

算力技术发展研究——“智能摩尔”技术路线综述

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中国安防 2024年第5期 40-45页

作者：周学武张韵东郭昭宇李家强数字感知芯片技术全国重点实验室中星微技术股份有限公司深空探测实验室中国空间技术研究院

一、“智能摩尔”技术背景概述自1965年戈登·摩尔提出摩尔定律以来,传统摩尔技术路线开始不断演进,当前基于CMOS开关的半导体工艺技术遭遇到物理极限的制约,半导体产业已进入后摩尔时代。延续摩尔(More Moore)技术通过不断改进半导体... 详细信息

一、“智能摩尔”技术背景概述自1965年戈登·摩尔提出摩尔定律以来,传统摩尔技术路线开始不断演进,当前基于CMOS开关的半导体工艺技术遭遇到物理极限的制约,半导体产业已进入后摩尔时代。延续摩尔(More Moore)技术通过不断改进半导体工艺制程,以减小器件沟道宽度的方法来提高单片晶体管集成密度,正逐渐接近1nm的量子极限。拓展摩尔(More Than Moore)技术通过在单芯片中堆叠多个DIE来提升单个元器件的性能,但也受到功耗和散热的限制。

关键词：半导体工艺沟道宽度集成密度摩尔定律后摩尔时代物理极限单芯片半导体产业

沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响

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西安电子科技大学学报 2015年第6期42卷 113-117页

作者：吴晓鹏杨银堂刘海霞董刚西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条... 详细信息

基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条件下保护器件的I-V特性.基于失效电流水平变化趋势以及器件仿真结果,分析了相关物理机制.研究结果表明,沟道宽度的选取必须结合器件的导通均匀性情况,同时沟道长度值则通过改变器件沟道下方的热分布影响保护器件的鲁棒性.利用实验方法分析了沟道尺寸对单叉指栅接地N型金属氧化物半导体保护器件性能影响的物理机制,对深亚微米保护器件的版图设计提供了优化指导.

关键词：沟道宽度沟道长度静电放电栅接地N型金属氧化物半导体

无线Ad Hoc网络中基于业务感知的多信道MAC协议(英文)

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China Communications 2013年第4期10卷 88-100页

作者：史春光赵海涛张少杰马东堂魏急波 College of Electronic Science and Engineering National University of Defense Technolog Department of Technology Taiyuan Satellite Launch Center State Key Laboratory of Complex Electromagnetic Environment Effects on Electronics and Information System

Existing multi-channel Medium Access Control (MAC) protocols have been demonstrated to significantly increase wireless network performance compared to single channel MAC protocols. Traditionally, the channelization structure in IEEE 802.11 based wireless networks is pre-configured, and the entire available spectrum is divided into subchannels and equal channel widths. In contrast, this paper presents a Traffic-Aware Channelization MAC (TAC-MAC) protocol for wireless ad hoc networks, where each node is equipped with a single half duplex transceiver. TAC-MAC works in a distributed, fine-grai-ned manner, which dynamically divides variable-width subchannels and allocates subchannel width based on the Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM) technique according to the traffic demands of nodes. Simulations show that the TAC-MAC can significantly improve network throughput and reduce packet delay compared with both fixed-width multi-channel MAC and single channel 802.11 protocols, which illustrates a new paradigm for high-efficient multi-channel MAC design in wireless ad hoc networks.

关键词：媒体访问控制无线网络交通需求无线Ad MAC协议沟道宽度正交频分复用无线ad

沟道长宽比对AZTO-TFT电学性能的影响

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日用电器 2023年第9期 98-101页

作者：荆卫松王超邓洋杨帆贾明瑞吉林建筑大学电气与计算机学院长春130118

本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100 W,氩氧比为98∶2,溅射时间为15 min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管(Thin Film Trans... 详细信息

本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100 W,氩氧比为98∶2,溅射时间为15 min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。并采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、半导体参数仪和紫外-可见分光光度计,分别对薄膜表面粗糙度、薄膜的体相结构、器件电学性能以及光透过率进行表征。结果表明:上述条件制备的AZTO薄膜成膜质量较好,随着沟道宽度的变窄,开态电流逐步增大,阈值电压逐渐负向偏移,电流开关比逐渐变大,器件的整体性能依然是逐渐提高的,在沟道宽度为10 um时,开态电流为,阈值电压为-7.843 2 V,电流开关比达到。

关键词：薄膜晶体管 AZTO 沟道宽度