沟道宽度对MOSFET高功率微波效应的影响

作     者：邵立汉 夏同生 SHAO Lihan;XIA Tongsheng

作者机构：北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2014年第34卷第5期

页      面：420-425页

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(YWF12LZGF055) 北京市自然科学基金资助项目(4122045) 

主　　题：高功率微波 沟道宽度 快回电压 热积累 轻掺杂漏极 

摘      要：关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下对于器件电击穿和热积累的影响。研究结果表明,随着器件宽度的增加,标志着二次击穿开始发生的快回电压Vt1会明显降低,因此在HPM注入下,较大宽度的器件将有更多的时间处于击穿区域;同时,高功率微波引起热集聚效应在大沟道宽度器件中将更加显著,其内部的峰值温度大于沟道宽度较小的器件。提出了一种新型的轻掺杂漏极结构,能够改善器件内部沿宽度方向上的热扩散条件,减小器件内部的峰值温度,并可提高器件的Vt1,进而提高器件在HPM下的稳定性。