沟道长宽比对AZTO-TFT电学性能的影响

作     者：荆卫松 王超 邓洋 杨帆 贾明瑞 

作者机构：吉林建筑大学电气与计算机学院长春130118 

出 版 物：《日用电器》 (ELECTRICAL APPLIANCES)

年 卷 期：2023年第9期

页      面：98-101页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：吉林省科技计划项目,项目编号:2022-KL-09 吉林省科技发展计划项目,项目编号:20200201177JC 吉林省科技厅,项目编号:YDZJ202301ZYTS489。 

主　　题：薄膜晶体管 AZTO 沟道宽度 

摘      要：本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100 W,氩氧比为98∶2,溅射时间为15 min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。并采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、半导体参数仪和紫外-可见分光光度计,分别对薄膜表面粗糙度、薄膜的体相结构、器件电学性能以及光透过率进行表征。结果表明:上述条件制备的AZTO薄膜成膜质量较好,随着沟道宽度的变窄,开态电流逐步增大,阈值电压逐渐负向偏移,电流开关比逐渐变大,器件的整体性能依然是逐渐提高的,在沟道宽度为10 um时,开态电流为,阈值电压为-7.843 2 V,电流开关比达到。