算力技术发展研究——“智能摩尔”技术路线综述
作者机构：数字感知芯片技术全国重点实验室 中星微技术股份有限公司 深空探测实验室 中国空间技术研究院
出 版 物：《中国安防》 (China Security & Protection)
年 卷 期：2024年第5期
页 面：40-45页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：半导体工艺 沟道宽度 集成密度 摩尔定律 后摩尔时代 物理极限 单芯片 半导体产业
摘 要：一、“智能摩尔技术背景概述自1965年戈登·摩尔提出摩尔定律以来,传统摩尔技术路线开始不断演进,当前基于CMOS开关的半导体工艺技术遭遇到物理极限的制约,半导体产业已进入后摩尔时代。延续摩尔(More Moore)技术通过不断改进半导体工艺制程,以减小器件沟道宽度的方法来提高单片晶体管集成密度,正逐渐接近1nm的量子极限。拓展摩尔(More Than Moore)技术通过在单芯片中堆叠多个DIE来提升单个元器件的性能,但也受到功耗和散热的限制。
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