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    • 4 篇 教育学
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  • 1 篇 医学
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主题

  • 101 篇 气相淀积
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  • 8 篇 薄膜
  • 8 篇 tic
  • 8 篇 复合材料
  • 6 篇 涂层
  • 6 篇 cvd
  • 6 篇 沉积温度
  • 5 篇 钛化合物
  • 5 篇 碳化钛
  • 5 篇 沉积层
  • 4 篇 金属材料
  • 4 篇 化学反应
  • 4 篇 基体材料
  • 4 篇 表面合金化
  • 4 篇 金属
  • 4 篇 离子化
  • 4 篇 反应堆材料
  • 4 篇 衬底
  • 4 篇 结合力

机构

  • 3 篇 上海交通大学
  • 3 篇 复旦大学
  • 3 篇 西安电子科技大学
  • 2 篇 中国科学院金属研...
  • 2 篇 华东化工学院
  • 2 篇 北京钢铁学院
  • 2 篇 大连起重机器厂理...
  • 2 篇 中南矿冶学院
  • 2 篇 中国科学院物理研...
  • 2 篇 安阳液压件厂
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  • 1 篇 上海市机械制造工...
  • 1 篇 美国国家航空和航...
  • 1 篇 三院8358所
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作者

  • 3 篇 胡黎明
  • 3 篇 景俊海
  • 3 篇 李春忠
  • 3 篇 孙青
  • 2 篇 尹渤
  • 2 篇 黄诚
  • 2 篇 蔡琪玉
  • 2 篇 陈敏恒
  • 2 篇 闻立时
  • 2 篇 张世理
  • 2 篇 崔长庚
  • 2 篇 阳钦
  • 2 篇 王季陶
  • 2 篇 王永发
  • 2 篇 汪师俊
  • 2 篇 沈天慧
  • 1 篇 丁训民
  • 1 篇 阮传土
  • 1 篇 徐润泽
  • 1 篇 张秉忠

语言

  • 100 篇 中文
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化学气相淀积硅化钨体系热力学研究
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电子学报 1989年 第3期17卷 14-18页
作者： 王永发 张世理 周庆 王季陶 复旦大学材料系
本文给出了以WF_6或WCl_6为钨源,以硅烷或氯硅烷为硅源的硅化钨气相淀积体系的热力学研究结果。结合实验,讨论了热力学结果对实验的指导和局限。
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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性
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微电子学与计算机 1993年 第9期10卷 1-3页
作者： 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 上海交通大学高纯硅及硅烷国家重点实验室 上海市200030
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.
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UV-Hg灯光化学气相淀积SiO_2薄膜的工艺研究
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半导体技术 1989年 第5期5卷 40-43页
作者： 景俊海 孙青 孙建诚 西安电子科技大学物理系
一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用光增强反应气体材料的光激活和光分解,可以在50～300℃条件下形成薄膜.与高温氧化、常压CVD相比,它可以减少温... 详细信息
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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究
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微电子学与计算机 1993年 第2期10卷 46-48页
作者： 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 上海交通大学
文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。
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低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜
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材料科学进展 1991年 第3期5卷 247-251页
作者： 景俊海 孙青 付俊兴 孙建成 西安电子科技大学
用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si_3N_4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si_3N_4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。
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化学气相淀积反应器中成核与成膜控制
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化工学报 1993年 第5期44卷 523-530页
作者： 李春忠 胡黎明 袁渭康 陈敏恒 华东化工学院技术化学物理研究所 上海200237
基于气溶胶动力学和化学反应动力学,建立了化学气相淀积(CVD)反应器中普适动力学方程,导出了CVD反应器中超细颗粒粒径分布谱函数和薄膜淀积速率的计算方法;研究了操作参数对钛酸丁酯高温裂解过程中成核与成膜的影响.用成核与成膜竞争判... 详细信息
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等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性
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无机材料学报 1994年 第2期9卷 204-208页
作者： 严北平 周南生 于宗光 杨林安 西安电子科技大学
本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜．研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响．用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻... 详细信息
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Si3N4膜气相淀积的最佳工艺条件的选择和应用
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Journal of Semiconductors 1986年 第6期 631-637页
作者： 阮传土 上海无线电七厂
本文通过对LPCVD生长高温Si;N;膜的反应过程和机理进行了详细的分析,并着重讨论了反应源在一定的温度分布、压力和气流条件下,进行化学气相淀积时的各种关系,然后通过正交试验方法,找出最佳的温度分布、压力和气流的工艺条件,获得了质... 详细信息
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硅的气相淀积的滞流层效应
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中国科学(B辑 化学 生物学 农学 医学 地学) 1985年 第11期 990-996页
作者： 章熙康 顾隆道 王其闵 中国科学院上海冶金研究所
在整个硅烷分解化学淀积硅膜的试验温度范围内,都显示出滞流层效应。对数生长速率与温度倒数的曲线分为三段直线。高温区的速率控制机制是硅烷分解后的硅原子;而不是硅烷通过滞流层的扩散机制控制了生长速率。中低温区的速率控制机制是... 详细信息
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等离子化学气相淀积设备抗干扰的应用研究
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中国仪器仪表 2012年 第1期 49-51页
作者： 李天鹏 江阴新顺微电子有限公司 江苏江阴214431
阐述对半导体行业等离子化学气相淀积设备干扰的基本发生源头,干扰现象以及设备维修人员在维修过程中抗干扰应采取的措施。
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