Si3N4膜气相淀积的最佳工艺条件的选择和应用
Choice and Application of Optimal Technical Parameters in Preparing CVD Si;N;Films作者机构：上海无线电七厂
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1986年第6期
页 面：631-637页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：最佳工艺条件 气相淀积 晶片 Si3N4 气相沉积 反应物 均匀性 生长速率 化学反应 有机硅化合物 硅烷
摘 要：本文通过对LPCVD生长高温Si;N;膜的反应过程和机理进行了详细的分析,并着重讨论了反应源在一定的温度分布、压力和气流条件下,进行化学气相淀积时的各种关系,然后通过正交试验方法,找出最佳的温度分布、压力和气流的工艺条件,获得了质量高、均匀性好的Si;N;膜.并达到了国际上同类产品的先进水平.对一年多来在LPCVD生长近四万片的Si;N;膜用于双极型器件中,与常压CVD作了对比,Si;N;膜的合格率提高了33.2％,生产效率提高了一个数量级以上,对器件的合格率和可靠性有明显的贡献,已取得了显著的经济效益.
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