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一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法

一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法

作者：许喆上海交通大学

学位级别：硕士

在0.25um以下的高阶制程中,通常使用蚀刻形成STI (Shallow Trench Isolation)浅沟槽的方式来达到元器件相隔绝的目的。由于制程能力的限制,STI浅沟槽拐角处的硅衬底与一般平坦的硅衬底的氧化速率存在差异,所以整个MOS器件的浅沟槽拐角... 详细信息

在0.25um以下的高阶制程中,通常使用蚀刻形成STI (Shallow Trench Isolation)浅沟槽的方式来达到元器件相隔绝的目的。由于制程能力的限制,STI浅沟槽拐角处的硅衬底与一般平坦的硅衬底的氧化速率存在差异,所以整个MOS器件的浅沟槽拐角处的氧化层厚度及平滑度是比较难控制的,这直接影响了栅极氧化层的可靠性。突出表现在TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)测试不易得到较好的结果。本课题主要介绍在厂内对0.18um EPFLASH (Embedded P-Channel Flash) CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)产品工艺进行可靠度评价后,通过对栅极氧化层VBD (Voltage to Breakdown)可靠性均匀度差的问题分析,找出工艺步骤的中的关键环节,进行多项指标监测试验,由各种条件组合下的工程试验数据的支持,得出产品在CMP (Chemical Mechanical Planarization)研磨过程后的STI高度控管的重要性的结论。最后本课题提供了一种关于高压MOS器件栅极氧化层制程的改善方法。该方法主要是通过生产线上对产品CMP研磨后STI高度的QA SPC (Statistical Process Control)控管来保证STI拐角处的氧化层厚度以及平滑度达到规定预设值,从而保证产品VBD均匀度,同时使其在TDDB测试时达到量产标准。该方法的实施有效提高了产品的良率。

关键词：栅极氧化层高压MOS器件 TDDB VBD 可靠性制程改善 CMP

φ300mm/0.18μm对栅极氧化层的要求及设备

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电子工业专用设备 1999年第2期28卷 15-17页

作者：翁寿松无锡市无线电元件四厂

介绍了３００ｍｍ／０．１８μｍ对栅极氧化层的要求、生长极薄栅极氧化层的方法及其形成栅极氧化层的设备。

关键词：栅极氧化层热处理氧化层生长集成电路

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解决工业级系统失效率和寿命的方案中的应用举措及新趋势

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磁性元件与电源 2023年第9期 167-172页

本文仅将对SiCMOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护(ESD)技术等二大热点作研讨。与此同时对伴随可靠性解决方案中的SiCMOSFET的快速短路检测与保护及高速SoC和RFIC电磁串扰解决方案应用中举... 详细信息

本文仅将对SiCMOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护(ESD)技术等二大热点作研讨。与此同时对伴随可靠性解决方案中的SiCMOSFET的快速短路检测与保护及高速SoC和RFIC电磁串扰解决方案应用中举措及新趋势作分析说明。

关键词：短路检测门级驱动栅极氧化层静电击穿与保护

45nmCMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究

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微电子学与计算机 2008年第2期25卷 89-92页

作者：杨松王宏杨志家中国科学院沈阳自动化研究所

在研究了45nm CMOS工艺下晶体管泄漏电流特性的基础上,提出了一种可以同时减小多米诺逻辑电路亚阈值和栅极氧化层泄漏功耗,带有NMOS睡眠开关并使用双阈值电压、双栅极氧化层厚度的电路技术。该电路技术与标准的双阈值电压多米诺逻辑电... 详细信息

在研究了45nm CMOS工艺下晶体管泄漏电流特性的基础上,提出了一种可以同时减小多米诺逻辑电路亚阈值和栅极氧化层泄漏功耗,带有NMOS睡眠开关并使用双阈值电压、双栅极氧化层厚度的电路技术。该电路技术与标准的双阈值电压多米诺逻辑电路相比,待机模式时消耗的总泄漏功耗在110℃时最高可以减小65.7%,在25℃时最高可以节省达94.1%。

关键词：多米诺逻辑阈值电压亚阈值泄漏栅极氧化层

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垂直结构的埸效应管在射频功放中的应用

移动通信 1980年第1期 51-57页

作者：王德凡

飞速发展的新技术,正推动场效应晶体管超出了传统的小功率使用范围,进入了长久以来属于双极型晶体管范畴的射频功放的应用。这种称为V—FET或V—MOS的新的金属—氧化物—半导体技术,使用了垂直设计几何图形,而不是通常在集成电路中见到... 详细信息

飞速发展的新技术,正推动场效应晶体管超出了传统的小功率使用范围,进入了长久以来属于双极型晶体管范畴的射频功放的应用。这种称为V—FET或V—MOS的新的金属—氧化物—半导体技术,使用了垂直设计几何图形,而不是通常在集成电路中见到的平面结构。这种结构提高了场效应管的输出功率,在兆赫频率时,超过了100W。由新的V形槽场效应管达到的功率水平,与那些具有相等有效面积的双极型晶体管保持

关键词： FET 输人射频功放栅极氧化层场效应管双极型晶体管饱和输出功率垂直结构

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半导体工艺革新激起涟漪

电子设计技术 2002年第6期 44-44页

作者： Joshua Israelsohn

半导体厂家现在可经采用的工艺种类,比以往任何时候都多了。因此,制造商们总想对其客户说,他们对制造工艺已作出最佳的选择,就一点也不足为奇了。

关键词：化合物半导体 CMOS 最小特征尺寸栅极氧化层晶圆片制造商硅工艺蓝宝石衬底

快速热处理对于0.25μm工艺技术的必要性

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