快速热处理对于0.25μm工艺技术的必要性

作     者：尼汀·夏 

出 版 物：《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期：1997年第4期

页      面：58-61页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：快速热处理 温度控制 复杂度 离子注入 硅化钛 芯片尺寸 温度调节 离子掺杂 栅极氧化层 浅结 P-N结 特征尺寸 难熔金属 工艺技术 

摘      要：集成电子技术的进步要求开发具有灵活性的制造工艺。芯片的复杂度每年增长一倍，引起芯片尺寸的增大和特征尺寸的缩小，以提高芯片的功能。目前大多数半导体生产工厂工作重点是０５～０３５μｍ的技术，许多公司正在开发研制０２５μｍ工艺，估计１９９７年将可投产。但０２５μｍ技术正面临着许多工艺挑战。最大制造方面的挑战在于离子注入后浅结的形成与激活，生长高质量的薄氧化层，通过流动／回流接触提高具有高纵横比的金属阶梯覆盖面，而不扩散到已形成的源结和漏结，使用难熔金属作为金半接触避免金属须穿透浅结。０２５μｍ技术的结深大约为０１５μｍ，薄氧化层厚７０～８５ｎｍ用作金半接触的难熔金属为钛，它与氧有很高的亲和力。如果采用快速热处理（ＲＴＰ）技术，其单片环境，短时和精确的温度控制，将简化工艺的复杂度。本文将讨论ＨＥＡＴＰＵＬＳＥＴＭ设备及其应用优点，如浅结注入激活，薄氧化，ＢＰＳＧ回流和硅化钛的形成。