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PECVD法制备硅化钛膜的工艺研究

固体电子学研究与进展 1989年第3期 310-313页

作者：于宗光许居衍周南生严北平无锡微电子联合公司西安电子科技大学

硅化钛薄膜由于电阻率低和其它一些良好特性,在VLSI的栅电极和互连线中显示出它潜在的优势。本文研究了用PECVD法制备硅化钛膜的卫艺。结果表明:所形成硅化钛膜的性质强烈地依赖于淀积工艺条件。还确定了典型工艺条件,并用俄歇电子能谱... 详细信息

硅化钛薄膜由于电阻率低和其它一些良好特性,在VLSI的栅电极和互连线中显示出它潜在的优势。本文研究了用PECVD法制备硅化钛膜的卫艺。结果表明:所形成硅化钛膜的性质强烈地依赖于淀积工艺条件。还确定了典型工艺条件,并用俄歇电子能谱分析了硅化钛膜的组分。

关键词：硅化钛 PECVD 淀积淀积速率流量比反应室工艺研究

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用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺

微电子学与计算机 1993年第7期10卷 40-42,47页

作者：章定康余山孙有民黄敞航空航天部骊山微电子学研究所陕西临潼710600

本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功... 详细信息

本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功3μm NMOS 12位乘法器,比没有硅化物的器件速度提高一倍。

关键词：自对准硅化钛溅射亚微米 CMOS

APCVD法制备硅化钛纳米线、薄膜及其性能的研究

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APCVD法制备硅化钛纳米线、薄膜及其性能的研究

作者：郝鹏浙江大学

学位级别：硕士

跨入21世纪随着平板显示技术(FPD)飞速发展,需要更低电阻率的材料作为FPD薄膜晶体管的接触电极,以提高响应速率、降低功耗。传统的场致发射平板显示器(FED)的微尖锥场发射体制作成本高、易与环境气体反应,限制了其工业化。采用低成本的... 详细信息

跨入21世纪随着平板显示技术(FPD)飞速发展,需要更低电阻率的材料作为FPD薄膜晶体管的接触电极,以提高响应速率、降低功耗。传统的场致发射平板显示器(FED)的微尖锥场发射体制作成本高、易与环境气体反应,限制了其工业化。采用低成本的方法在玻璃上制备高导电性的硅化钛薄膜并在薄膜层上生长纳米线能够有效的解决这些问题,极大的推动平板显示技术进一步发展。本论文采用常压化学气相沉积法(APCVD)以SiH和TICl为前驱体在玻璃衬底上一次性制备出大面积硅化钛薄膜/纳米线复合结构,运用XRD、SEM、TEM、EDX、四探针电阻仪、紫外可见光谱仪等手段对样品的结构和性能进行了测试和分析。讨论了薄膜中晶相的形成过程和机理,以及薄膜层上纳米线的形成和生长机理。成功实现了硅化钛纳米线在相应薄膜层上的生长。结果表明,APCVD法在玻璃基板上沉积低电阻硅化钛(TiSi)薄膜的过程由前驱体SiH和TiCl的化学反应控制。通过调制前驱体不同的反应进程,使生成TiSi的化学反应在沉积过程中为主导,促进薄膜中TiSi晶相的形成,从而得到电阻率较低的薄膜,典型样品的电阻率为37μΩ·cm。TiSi薄膜在玻璃基板上的形成过程是,SiH和TiCl在气相反应直接形成TiSi晶核,而后沉积在玻璃衬底的表面,随着沉积时间的延长,晶粒逐渐长大,堆积变得致密,结构也趋于完整,薄膜的电阻率也随着降低。通过控制前驱体不同的化学反应,提高低阻相TiSi的在薄膜中的含量,降低薄膜电阻率,可以得到红外高反射率的薄膜。 APCVD法成功的在玻璃基板上一次性制备出大面积硅化钛薄膜/纳米线复合结构,实现了高质量、高密度的硅化钛纳米线在薄膜层上的生长。正交晶系的TiSi方形纳米线(RNWs)截面为矩形,长约几微米,宽、高介于20-40nm,生长方向是[011]。纳米线以气/固模式生长,TiSi薄膜沉积完成后,控制残余前驱体SiH和TICl的反应,使新相的纳米岛在TiSi薄膜中的颗粒上形成,在TiSi纳米岛的自诱导作用下,TiSi晶体开始生长,此后为保持较低的表面能,晶体结构的各向异性使TiSi在(011)晶面上优先生长,最终导致了沿[011]方向生长的TiSi方形

关键词： APCVD 硅化钛薄膜晶相形成纳米线生长机理

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硅化钛上选择性化学汽相淀积钨

薄膜科学与技术 1990年第4期3卷 60-65页

作者：周有衡李爱珍

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硅化钛薄膜的反应离子刻蚀技术

薄膜科学与技术 1990年第2期3卷 52-57页

作者：邹斯洵李宁

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等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性

无机材料学报 1994年第2期9卷 204-208页

作者：严北平周南生于宗光杨林安西安电子科技大学

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜．研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响．用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻... 详细信息

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜．研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响．用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构．

关键词：等离子增强气相淀积硅化钛薄膜

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硅化钛薄膜的制备与应用

电镀与涂饰 2007年第9期26卷 29-32,35页

作者：徐向勤杜军江铃汽车集团江西南昌330012 南昌大学环境科学与工程学院化工系江西南昌330031

金属硅化物因其薄膜电阻率低,熔点高,化学性质稳定,在微电子领域具有广阔的使用前景。本文系统地阐述了硅化钛的性质、制备方法(包括自对准硅化物技术及CVD技术)及其应用。对硅化钛在集成电路中的应用进行了重点介绍。

关键词：硅化钛薄膜微电子集成电路

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硅化钛场板的工艺条件与特性研究

电子与封装 2013年第10期13卷 33-35页

作者：许帅徐政吴晓鸫中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035

场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层... 详细信息

场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层具有较好的BT CV稳定性,多晶注入后退火温度与硅化钛退火温度的提高不利于场板电阻与平带电压的稳定性。优化后的工艺条件下,该场板结构具有较好的可靠性与耐高压性。

关键词：硅化钛场板 CV特性稳定性

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含氧硅化钛膜的等离子腐蚀

微电子学 1985年第6期 63-70页

作者： F.Y.Robb 刘昌第莫托洛拉公司

如果低电阻率的硅钛栅被用于按比例缩小的MOS器件,硅化钛的各向异性腐蚀是必要的。CCl4、CF4等离子体以及离子铣都可用来腐蚀硅化钛/多晶硅复合膜,每一种方法都表现于一些缺点。由于硅化物含氧量高及CCl4等离子腐蚀的腐蚀选择比大（对... 详细信息

如果低电阻率的硅钛栅被用于按比例缩小的MOS器件,硅化钛的各向异性腐蚀是必要的。CCl4、CF4等离子体以及离子铣都可用来腐蚀硅化钛/多晶硅复合膜,每一种方法都表现于一些缺点。由于硅化物含氧量高及CCl4等离子腐蚀的腐蚀选择比大（对二氧化硅的腐蚀速率低）,因而CCl4等离子腐蚀时会产生残留物并且腐蚀表面粗糙。CF4反应离子腐蚀和离子铣刻蚀是光洁的腐蚀,但存在对下面的薄栅SiO2膜的过腐蚀问题。然而,综合这些方法就能成功地加工出上述结构的各向导性图形。首先用腐蚀选择性差的CF4反应离子腐蚀的光洁腐蚀刻透氧化物,随后用具有较高腐蚀选择比的Cl2等离子腐蚀刻透硅化物下的多晶硅层至薄栅SiO2层。

关键词：硅化钛等离子腐蚀各向异性腐蚀 CF 硅化物离子铣反应离子腐蚀多晶硅膜选择比正性光刻胶