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栅控T_c的高温氧化物超导体场效应晶体管

电子学报 1995年第8期23卷 15-19页

作者：蒋建飞汤玉生蔡琪玉上海交通大学微电子学研究所

本文提出了栅控超导临界温度Ｔ_ｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔ_ｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。

关键词：高温氧化物超导体栅控场效应晶体管

金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

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物理学报 2005年第7期54卷 3363-3369页

作者：孟志国吴春亚李娟熊绍珍郭海成王文南开大学信息学院光电子器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 香港科技大学电机电子工程系

提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM... 详细信息

提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM_LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT_MIUC poly_SiTFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.

关键词：轻掺杂漏金属诱导结构栅控晶化多晶硅薄膜晶体管有源矩阵显示器玻璃衬底漏电电流 poly 迁移率硅器件均匀性 TFT 技术 Si

透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性

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国防科技大学学报 2015年第1期37卷 34-38页

作者：李国立曾云夏宇徐慧湖南大学物理与微电子科学学院湖南长沙410082

透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器,是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础,综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程,介绍和分析了器件结构及其工作原理,建立电压、电流物理... 详细信息

透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器,是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础,综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程,介绍和分析了器件结构及其工作原理,建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件,完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段,器件光电流随栅极电压的增大而增大,表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下,器件的内部量子效率在中短波长(400nm,450nm,530nm,600nm)的光辐射下,可达到96%以上,甚至接近100%。短波长下(280nm,350nm),量子效率最大值近80%。此外,器件的暗电流很低,光暗电流之比超过106,具有高灵敏度。

关键词：栅控绝缘体上硅光电探测器光学特性

栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷的定量分离

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物理学报 2012年第23期61卷 374-380页

作者：席善斌陆妩任迪远周东文林孙静吴雪中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049

设计并制作了一种栅控横向PNP双极晶体管测试结构,在常规横向PNP双极晶体管基区表面氧化层上制作了一栅电极,利用栅扫描法,通过扫描栅极所加电压,获得了基极电流随栅极电压的变化特性.理论推导和数学计算获得了氧化物陷阱电荷和界面陷... 详细信息

设计并制作了一种栅控横向PNP双极晶体管测试结构,在常规横向PNP双极晶体管基区表面氧化层上制作了一栅电极,利用栅扫描法,通过扫描栅极所加电压,获得了基极电流随栅极电压的变化特性.理论推导和数学计算获得了氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的定量变化,分离出栅控横向PNP双极晶体管在辐照及其室温退火过程中感生的缺陷.对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.

关键词：栅扫描法栅控横向PNP双极晶体管电荷分离

中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷

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物理学报 2012年第7期61卷 350-355页

作者：席善斌陆妩王志宽任迪远周东文林孙静中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱... 详细信息

设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.

关键词：中带电压法栅控横向pnp双极晶体管电荷分离

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国产无截获栅控行波管的特点及测试

真空电子技术 1989年第4期2卷 16-20页

作者：蒋光辉

本文介绍的无截获栅(也叫阴影栅、屏蔽栅等)控行波管,具有增益高、频带宽、效率高、占空比大、体积小、重量轻、可靠性高和寿命长等特点,满足了空用条件的要求;叙述了大功率行波管的测试方法、步骤及测试中应注意的一些问题,并附有测试... 详细信息

本文介绍的无截获栅(也叫阴影栅、屏蔽栅等)控行波管,具有增益高、频带宽、效率高、占空比大、体积小、重量轻、可靠性高和寿命长等特点,满足了空用条件的要求;叙述了大功率行波管的测试方法、步骤及测试中应注意的一些问题,并附有测试的增益一频率特性曲线;文章对行波管的调频噪声进行了初步计算;最后将国产无截获栅控行波管的性能与国外几种具有代表性的同类型行波管进行了比较、从而显示出我国在研制高占空比无截获栅控耦合腔大功率行波管方面的技术水平。

关键词：行波管栅控无截获栅控测试

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集成电路中的MOSFET栅控电阻

微电子学与计算机 1993年第4期10卷 36-38页

作者：张屏英雷俊钊章定康西安交通大学电子系 710049 骊山微电子学研究所

工作在非饱和区的MOSFET实际上是一个电压控制电阻,它不仅准确且连续可调.在分析MOSFET栅控电阻的线性特性基础上,通过使用差动运算电路,可抵消掉非线性偶次项;施加适当衬底偏压,可使非线性高次项明显减小.对于兆欧级有源电阻,设计中采... 详细信息

工作在非饱和区的MOSFET实际上是一个电压控制电阻,它不仅准确且连续可调.在分析MOSFET栅控电阻的线性特性基础上,通过使用差动运算电路,可抵消掉非线性偶次项;施加适当衬底偏压,可使非线性高次项明显减小.对于兆欧级有源电阻,设计中采用等沟道长度单元MOSFET串联和交叉布局的平衡结构,保证工艺一致.由此制得了线性好、动态范围宽、可调范围大的兆欧级有源电阻.

关键词：模拟集成电路栅控电阻

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基于纳米压印的栅控纳米流体器件制作及应用

基于纳米压印的栅控纳米流体器件制作及应用

作者：刘骁大连理工大学

学位级别：硕士

近年来,以微纳结构为核心组件的微纳流控芯片因其微型化、原位驱动等优点在生物、化学和医疗等领域有着广泛的应用。固体纳米通道壁面材料和溶液接触产生表面电荷,进而形成双电层。由于纳米尺度下德拜长度和通道尺度相近,会产生独特的... 详细信息

近年来,以微纳结构为核心组件的微纳流控芯片因其微型化、原位驱动等优点在生物、化学和医疗等领域有着广泛的应用。固体纳米通道壁面材料和溶液接触产生表面电荷,进而形成双电层。由于纳米尺度下德拜长度和通道尺度相近,会产生独特的离子传输现象。普通的固态纳米通道产生的双电层由表面性质所决定,器件一经制成就难于改变。通过在器件上制作栅电极并施加电压的方式可以影响纳米通道内部电荷排布,影响器件的电渗流调控性能,进行场效应调控。首先介绍了微纳流控器件中的基于浓度驱动的和基于电化学的纳米器件的应用方向,基于平面阵列的纳米沟槽易于构建栅控纳米流体器件。然后介绍了基于栅压调控的纳米流体器件的研究基础以及集成栅控电极微纳流体器件的制作工艺方案。提出基于纳米压印工艺制作栅控纳米调控器件并进行调控测试的研究内容。其次根据栅控纳米流体器件的调控原理模型,纳米通道的高度、纳米通道长度和介电层厚度等器件几何参数会对调控性能产生影响。对调控性能的探究涉及到电场、离子分布和流体流动等多个物理场的耦合,通常采用数值方式进行求解。以栅控纳米流控芯片各部分尺寸为研究目标,建立COMSOL仿真模型,探究不同尺寸下纳米通道器件的调控性能,以更好的调控性能为导向,为制作栅控纳米流体器件优化参数。再次以仿真结果为依据,进行栅控纳米流体器件结构设计及工艺方案的确定。器件结构设计与工艺方案互相影响,制作工艺以溅射剥离工艺制作金属栅极,以纳米压印工艺制作栅控纳米流体器件的核心阵列纳米沟道部分,结合磁控溅射工艺制作键合结合层。利用SU-8胶制作模具浇注PDMS微米流体通道。通过氧等离子体处理后键合上述两部分,密封沟槽形成集成了微米流道的栅控微纳流体器件。最后进行栅控调控测试,使用直流电源和皮安表搭建测试平台,针对不同浓度KCl溶液中测试了无栅压时电导变化情况,验证了栅控纳米流体器件的纳米通道部分能够正常工作。测试不同栅压下的离子电流的调控曲线,对比仿真数据证明了栅压能对离子电流起到调控作用。选取等电点不同分子大小接近的两种蛋白质对栅压调控大分子运输的能力通过测量离子电流的方式进行表征,为栅控流体器件进行生物分子分离提供实验基础。

关键词：栅控纳流控纳米压印离子电流蛋白调控

同方学位论文库评论

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栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析

电子器件 1982年第1期 112-135页

作者：赵文雫

本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V;～V;特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式,介绍了该区域内V;～B;实验曲线的斜率不为（... 详细信息

本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V;～V;特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式,介绍了该区域内V;～B;实验曲线的斜率不为（?）的现象,通过综合的理论分析,本文认为,对应着V;～V;特性的大部分范围.击穿电压受栅电压调制的主要原因,是空间电荷区表面角区电场受到栅电压的调制.与空间电荷区形状的变化没有很直接的关系.本章用简便的方法判别了不同样品的“击穿跌落”机理.指出（?）(?)了工艺参数的影响是形成不同观点的原因所在。此外,本文给出了具有一定的工艺参数范围的实验曲线簇,具体说明了工艺参数对V;～V;特性的影响。

关键词：栅控击穿特性空间电荷区 PN