中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷
Use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors作者机构：中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2012年第61卷第7期
页 面：350-355页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:10975182)资助的课题
主 题：中带电压法 栅控 横向pnp双极晶体管 电荷分离
摘 要：设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.
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