金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究

作     者：孟志国 吴春亚 李娟 熊绍珍 郭海成 王文 MENG Zhi-guo;WU Chun-ya;Li Juan;XIONG Shao-zhen;Hoi S.Kwok;Man Wong

作者机构：南开大学信息学院光电子器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 香港科技大学电机电子工程系 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2005年第54卷第7期

页      面：3363-3369页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570) 国家自然科学基金(批准号:60437030 60077011) 国家出国留学人员回国基金 香港RGC资助的课题.~~ 

主　　题：轻掺杂漏 金属诱导 结构 栅控 晶化 多晶硅薄膜晶体管 有源矩阵显示器 玻璃衬底 漏电电流 poly 迁移率 硅器件 均匀性 TFT 技术 Si 

摘      要：提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM_LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT_MIUC poly_SiTFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.