栅控PN结击穿特性的理论研究及实验分析

作     者：赵文雫 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：1982年第1期

页      面：112-135页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：栅控 击穿特性 空间电荷区 PN 

摘      要：本文用实验验证了栅控PN结击穿特性的效应.得到比较完整的实验曲线,并对此进行了分析.通过求介一个特定条件下的二维泊松方程,建立了完美的V;～V;特性的理论模型,求得在正栅压区的分析表达式,介绍了该区域内V;～B;实验曲线的斜率不为（?）的现象,通过综合的理论分析,本文认为,对应着V;～V;特性的大部分范围.击穿电压受栅电压调制的主要原因,是空间电荷区表面角区电场受到栅电压的调制.与空间电荷区形状的变化没有很直接的关系.本章用简便的方法判别了不同样品的“击穿跌落机理.指出（?）(?)了工艺参数的影响是形成不同观点的原因所在。此外,本文给出了具有一定的工艺参数范围的实验曲线簇,具体说明了工艺参数对V;～V;特性的影响。